[發(fā)明專利]卷繞式離子增強型磁控光學氧化硅鍍膜裝置及方法

有效

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• 申請日: 2019-04-12
• 公開（公告）號: CN110004425B
• 公開（公告）日: 2020-05-15
• 發(fā)明（設計）人: 朱建明
• 申請（專利權）人: 肇慶市科潤真空設備有限公司
• 主分類號: C23C14/56
• 分類號: C23C14/56;C23C14/35;C23C14/10
• 代理公司: 廣州市華學知識產(chǎn)權代理有限公司 44245
• 代理人: 謝靜娜

1.一種卷繞式離子增強型磁控光學氧化硅鍍膜裝置，包括旋轉輥和至少一個設于旋轉輥外側的鍍膜室，其特征在于，沿基材的輸送方向，鍍膜室的后方還設有氧化室和磁鐵組件，氧化室和磁鐵組件相對設于旋轉輥的兩側，氧化室和鍍膜室相接且并列設于旋轉輥的外側，磁鐵組件設于旋轉輥內側；氧化室內設有進氣管，進氣管與旋轉輥之間連接有電池；

所述磁鐵組件包括磁鐵固定圈和多個磁鐵，磁鐵固定圈設于旋轉輥內，且磁鐵固定圈為固定結構，不跟隨旋轉輥轉動，多個磁鐵固定安裝于磁鐵固定圈上。

2.根據(jù)權利要求1所述一種卷繞式離子增強型磁控光學氧化硅鍍膜裝置，其特征在于，所述旋轉輥外側設有多個鍍膜室時，沿基材的輸送方向，每個鍍膜室的后方設有一個氧化室。

3.根據(jù)權利要求1所述一種卷繞式離子增強型磁控光學氧化硅鍍膜裝置，其特征在于，所述磁鐵組件中，在磁鐵的安裝處，磁鐵固定圈的外周向外延伸有安裝支架，各磁鐵固定安裝于安裝支架上。

4.根據(jù)權利要求1所述一種卷繞式離子增強型磁控光學氧化硅鍍膜裝置，其特征在于，所述磁鐵組件中，任意相鄰的兩個磁鐵之間，朝向氧化室的端部極性相反。

5.根據(jù)權利要求1所述一種卷繞式離子增強型磁控光學氧化硅鍍膜裝置，其特征在于，所述磁鐵組件中，磁鐵固定圈為直徑小于旋轉輥內徑的圓筒狀結構，安裝支架為位于磁鐵固定圈外周的長條狀結構或由間斷式的多個塊狀結構組成。

6.根據(jù)權利要求1所述一種卷繞式離子增強型磁控光學氧化硅鍍膜裝置，其特征在于，所述電池的陽極與旋轉輥連接，電池的陰極與進氣管連接。

7.根據(jù)權利要求1所述一種卷繞式離子增強型磁控光學氧化硅鍍膜裝置，其特征在于，所述電池的電壓為200～400V。

8.根據(jù)權利要求1所述一種卷繞式離子增強型磁控光學氧化硅鍍膜裝置，其特征在于，所述鍍膜裝置為卷繞式一體機，鍍膜裝置的內部為一個整體的真空室，真空室的中部設置旋轉輥，旋轉輥的一側設置放卷機構和收卷機構，旋轉輥另一側的空間通過多個隔板分隔成鍍膜室和氧化室，各隔板與旋轉輥的外表面之間留有基材通道；基材由放卷機構放出后，繞旋轉輥進行轉動，經(jīng)過鍍膜室和氧化室后，由收卷機構收卷。

9.根據(jù)權利要求1～8任一項所述裝置實現(xiàn)一種卷繞式離子增強型磁控光學氧化硅鍍膜方法，其特征在于，基材隨著旋轉輥的轉動進行輸送，先經(jīng)過鍍膜室，在純硅靶的作用下鍍上氧化硅膜層；然后再經(jīng)過氧化室，氧化室中的氧氣分子和氬氣分子在電場和磁場的作用下產(chǎn)生大量氧離子，且氧離子在電場的作用下高速射向氧化硅膜層內部，對氧化硅膜層中夾雜的純硅進行氧化，從而提高氧化硅膜層中氧化硅的含量。