[發明專利]一種三維分子基鐵電存儲器件在審
| 申請號: | 201910291134.6 | 申請日: | 2019-04-11 |
| 公開(公告)號: | CN110041208A | 公開(公告)日: | 2019-07-23 |
| 發明(設計)人: | 游雨蒙;馮子杰;熊昱安 | 申請(專利權)人: | 東南大學 |
| 主分類號: | C07C211/07 | 分類號: | C07C211/07;C07C209/00;C07F7/24;H01L27/11585;H01L27/1159 |
| 代理公司: | 南京眾聯專利代理有限公司 32206 | 代理人: | 盧倩 |
| 地址: | 210096 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 分子基 鐵電存儲器 晶體薄膜 周圍電極 絕緣層 鐵電存儲材料 鐵電存儲器件 中心電極 金屬柱 三維 微電子存儲器 金屬陽離子 有機陽離子 存儲器件 存儲容量 低溫制備 高可靠性 氣相沉積 三維結構 低功耗 堆疊層 小分子 陰離子 存儲 鑲嵌 金屬 | ||
1.一種分子基鐵電存儲材料,其特征在于,所述分子基鐵電存儲材料的通式為:AxByCz;其中:A為含氮、膦或氟的小分子有機陽離子,B為金屬陽離子,C為陰離子。
2.如權利要求1所述的分子基鐵電存儲材料,其特征在于,所述含氮、膦或氟的小分子有機陽離子為:四甲基胺陽離子、四甲基膦陽離子、三甲基氯甲基胺陽離子、三甲基氟甲基胺陽離子、三甲基溴甲基胺陽離子、三甲基碘甲基胺陽離子、三甲基二氟甲基胺陽離子、三甲基三氟甲基胺陽離子、三甲基羥胺陽離子、三甲基乙基陽離子、三甲基丙基陽離子、三甲基氯乙基陽離子、三甲胺陽離子、三乙胺陽離子、四乙胺陽離子、三乙胺甲基陽離子、三乙胺氯甲基陽離子、三乙胺氟甲基陽離子、三乙胺溴甲基陽離子、三乙胺碘甲基陽離子、吡咯烷陽離子、吡咯啉陽離子、奎寧環陽離子、咪唑陽離子、吡啶陽離子、氨基吡咯烷陽離子、氨基奎寧環陽離子、哌嗪陽離子或三乙烯二胺陽離子。
3.如權利要求1所述的分子基鐵電存儲材料,其特征在于,所述金屬陽離子為:Cd2+、Mn2+、Cu2+、Zn2+、Ni2+、Co2+、Fe2+、Cr2+、V2+、Hg2+、Cu+、Ag+、Au+、Al3+、In2+、Sn2+、Pb2+、Sb3+、Bi3+、Na+、K+、Rb+、Cs+、Mg2+、Ca2+、Sr2+或Ba2+。
4.如權利要求1所述的分子基鐵電存儲材料,其特征在于,所述陰離子為:Cl-、Br-、I-、SCN-、N3-、ClO4-、CN-或BF4-。
5.如權利要求1所述的分子基鐵電存儲材料,其特征在于,所述通式為APRbBr3,其中AP為[C4H12N2]2+。
6.如權利要求1所述的分子基鐵電存儲材料的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:將A有機分子或AC有機鹽與BC金屬鹽按化學計量比,在水、DMF、鹽酸或氫溴酸溶劑中混合得到澄清溶液,通過緩慢揮發、減壓蒸餾的方法除去溶劑,制得產物。
7.一種分子基鐵電存儲器晶體薄膜制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
1)用溶劑溶解權利要求1所述分子基鐵電存儲材料,配制前驅液;
2)取所述前驅液,利用滴涂法或旋涂法,使其均勻覆蓋于襯底表面;
3)通過室溫揮發或加熱退火除去溶劑,得到AxByCz薄膜;
4)利用化學方法或物理方法去除所述襯底,獲得分子基鐵電存儲器晶體薄膜。
8.如權利要7所述的分子基鐵電存儲器晶體薄膜制備方法,其特征在于,所述步驟1)中溶劑為水或有機溶劑,所述有機溶劑為甲醇、DMF、乙醇、丙酮、石油醚、乙醚、三氯甲烷、乙二醇、丙醇、丁醇、DMSO、乙腈、苯胺、乙二胺、THF、甲苯中任意一種或幾種;步驟2)中所述襯底為:硅片或銅片。
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