[發明專利]半導體結構及其形成方法

有效

• 申請號: 201910291073.3
• 申請日: 2019-04-11
• 公開（公告）號: CN110021603B
• 公開（公告）日: 2021-09-14
• 發明（設計）人: 王賢超;徐楊
• 申請（專利權）人: 德淮半導體有限公司
• 主分類號: H01L27/11517
• 分類號: H01L27/11517;H01L27/11551;H01L27/11563;H01L27/11578
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣;吳敏

1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底表面形成復合結構，所述復合結構包括若干層復合層，若干層所述復合層沿基底表面法線方向重疊，每一層復合層包括第一材料層以及位于第一材料層表面的第二材料層，且第一材料層的材料和第二材料層的材料不同；

形成貫穿所述復合結構的第一開口，所述第一開口暴露出基底表面；

對所述第一開口暴露出的一層或多層第二材料層側壁進行刻蝕，在所述復合結構內形成一個或多個第一凹槽，所述第一凹槽相對于第一開口的側壁表面凹陷，且若干第一凹槽與所述第一開口連通；

在所述第一開口和第一凹槽內形成第一互聯結構；

其中，還包括：在所述復合結構內形成第三開口，所述第三開口底部到基底表面之間具有一層或多層所述復合層；在所述第三開口內形成絕緣層；形成自所述絕緣層頂部表面貫穿至所述基底表面的第四開口；對所述第四開口暴露出的一層或多層第二材料層側壁進行刻蝕，在所述復合結構內形成一個或多個第三凹槽，所述第三凹槽相對于第四開口的側壁表面凹陷；在所述第四開口和第三凹槽內形成第四互聯結構。

2.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一開口的形成方法包括：在所述復合結構表面形成第一掩膜層，所述第一掩膜層暴露出部分復合結構表面；以所述第一掩膜層為掩膜，刻蝕所述復合結構，直至暴露出基底表面，形成所述第一開口。

3.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一互聯結構的形成方法包括：在所述第一開口內、第一凹槽內以及復合結構表面形成第一導電材料膜；平坦化所述第一導電材料膜，直至暴露出復合結構頂部表面，形成所述第一互聯結構。

4.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一材料層的材料包括：氧化硅、氮化硅、氮碳化硅、氮硼化硅、氮碳氧化硅或氮氧化硅。

5.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第二材料層的材料包括：氧化硅、氮化硅、氮碳化硅、氮硼化硅、氮碳氧化硅或氮氧化硅。

6.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，還包括：形成所述第一互聯結構之后，在第一互聯結構和復合結構表面形成第二互聯結構。

7.如權利要求6所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第二互聯結構的形成方法包括：在所述第一互聯結構和復合結構表面形成介質層；圖形化所述介質層，直至暴露出第一互聯結構頂部表面，在所述介質層內形成第五開口和第四凹槽，所述第四凹槽位于所述第五開口頂部，且所述第四凹槽的底部與所述第五開口的頂部連通，且所述第五開口暴露出部分第一互聯結構表面；在所述第五開口內、第四凹槽內、以及介質層表面形成第二導電材料膜；平坦化所述第二導電材料膜，直至暴露出介質層表面，在所述第五開口和第四凹槽內形成第二互聯結構。

8.如權利要求7所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，圖形化所述介質層的方法包括：在所述介質層表面形成第二掩膜層，所述第二掩膜層暴露出部分所述介質層表面；以所述第二掩膜層為掩膜，刻蝕所述介質層，直至暴露出第一互聯結構頂部表面，形成過渡開口；在所述過渡開口內形成第一填充層；在所述第一填充層和介質層表面形成第三掩膜層，所述第三掩膜層暴露出所述第一填充層和部分所述介質層；以所述第三掩膜層為掩膜，刻蝕所述介質層和第一填充層，在介質層內形成第四凹槽；去除所述第四凹槽底部的第一填充層，形成第五開口；在形成第四凹槽和第五開口之后，去除所述第三掩膜層。

9.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，還包括：形成貫穿所述復合結構的第二開口，且所述第二開口暴露出基底表面；對所述第二開口暴露出的一層或多層第二材料層側壁進行刻蝕，在所述復合結構內形成一個或多個第二凹槽，所述第二凹槽相對于第二開口的側壁表面凹陷，且若干第二凹槽與所述第二開口連通；在所述第二開口和第二凹槽內形成第三互聯結構。