[發明專利]太陽能電池及其制備方法

在審

• 申請號: 201910291041.3
• 申請日: 2019-04-11
• 公開（公告）號: CN110335916A
• 公開（公告）日: 2019-10-15
• 發明（設計）人: 張勇
• 申請（專利權）人: 張勇
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0216
• 代理公司: 深圳市康弘知識產權代理有限公司 44247
• 代理人: 尹彥;胡朝陽

1.一種太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括步驟：

選擇相應的襯底；

根據需要制備的電池類型在所述襯底上開孔或不開孔；

在襯底表面制絨，并進行擴散處理形成相應的擴散層；

根據所述電池類型進行進一步制備；

根據所述電池類型在制備完成的太陽能電池的至少一個受光面上覆蓋一層透明導電層。

2.如權利要求1所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述至少一個透明導電層的外表面制備有凸出于所述透明導電層的外層金屬電極。

3.如權利要求1所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述電池類型包括單多晶P型單面PERC電池、單多晶P型雙面PERC電池、單多晶N型雙面PERC電池、單多晶P型TOPcon電池、單多晶N型雙面TOPcon電池、MWT單多晶P型PERC電池、MWT單多晶P型TOPcon電池、MWT單多晶N型TOPcon電池當中的至少一種。

4.如權利要求3所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，當所述太陽能電池為單多晶P型單面PERC電池時：

選擇P型單多晶硅片作為太陽能電池的襯底，并在其表面進行制絨；

在所述太陽能電池的上表面進行磷擴散形成N型擴散層；

對所述太陽能電池進行濕法刻蝕去掉所述P型單多晶硅片下表面的磷擴散區域和上表面的磷硅玻璃部分；

在所述太陽能電池上表面進行氧化退火在所述N型擴散層上形成氧化層；

在所述太陽能電池下表面鍍鈍化層；

在所述太陽能電池下表面鍍氮化硅層；

在所述太陽能電池下表面使用激光進行開槽露出所述P型單多晶硅片；

在所述太陽能電池下表面印刷電場層使所述電場層通過所述槽抵觸所述P型單多晶硅片；

在所述太陽能電池上、下表面制備所述金屬電極，并進行燒結；

所述太陽能電池的上表面覆蓋所述透明導電層。

5.如權利要求3所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，當所述太陽能電池為單多晶P型雙面PERC電池時：

選擇P型單多晶硅片作為太陽能電池的襯底，并在其表面進行制絨；

在所述太陽能電池的上表面進行磷擴散形成N型擴散層；

對所述太陽能電池進行濕法刻蝕去掉所述P型單多晶硅片下表面的磷擴散區域和上表面的磷硅玻璃部分；

在所述太陽能電池上表面進行氧化退火在所述N型擴散層上形成氧化層；

在所述太陽能電池下表面鍍鈍化層；

在所述太陽能電池下表面鍍氮化硅層，并使用激光進行開槽露出所述P型單多晶硅片，然后在所述太陽能電池的上、下表面制備金屬電極使下表面的金屬電極與所述P型單多晶硅片接觸并進行燒結，或者直接在所述太陽能電池下表面使用激光進行開槽，然后在所述太陽能電池的上、下表面制備金屬電極使下表面的金屬電極與所述P型單多晶硅片接觸并進行燒結；

所述太陽能電池上表面覆蓋所述透明導電層，所述太陽能電池下表面的鈍化層上未鍍氮化硅層時覆蓋所述透明導電層。

6.如權利要求3所述的太陽能電池的制備方法，其特征在于，當所述太陽能電池為單多晶N型雙面PERC電池時：

選擇N型單多晶硅片作為所述太陽能電池的襯底，并在其表面進行制絨；

對所述太陽能電池上表面進行硼擴散形成P型擴散層；

對所述太陽能電池進行濕法刻蝕去掉所述N型單多晶硅片下表面的硼擴散區域和上表面的硼硅玻璃部分；

在所述太陽能電池下表面進行重摻雜制備；

對所述太陽能電池上、下表面進行氧化處理形成氧化層；

在所述太陽能電池上表面的氧化層上鍍鈍化層；

在所述太陽能電池的上、下表面制備金屬電極并進行燒結，或者在所述太陽能電池上表面鍍氮化硅后，然后在所述太陽能電池的上、下表面制備金屬電極并進行燒結；

所述太陽能電池的下表面覆蓋所述透明導電層，所述太陽能電池的上表面未鍍氮化硅時覆蓋所述透明導電層。