[發(fā)明專利]用于軋制納米尺度孔結構材料的軋輥及軋輥組和軋制生產線

在審

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• 申請日: 2019-04-10
• 公開（公告）號: CN111807320A
• 公開（公告）日: 2020-10-23
• 發(fā)明（設計）人: 辛民昌;李長明;吳超;辛程勛
• 申請（專利權）人: 青島九環(huán)新越新能源科技股份有限公司
• 主分類號: B82Y40/00
• 分類號: B82Y40/00
• 代理公司: 重慶航圖知識產權代理事務所(普通合伙) 50247
• 代理人: 胡小龍

本發(fā)明公開了一種用于軋制納米尺度孔結構材料的軋輥，包括軋輥本體，所述軋輥本體上設有用于軋制納米尺度孔納米尺度孔的納米尺度扎針。本發(fā)明還公開了一種用于軋制納米尺度孔結構材料的軋輥組，包括兩根軋輥，兩根所述軋輥中，至少一根所述軋輥采用如上所述的用于軋制納米尺度孔結構材料的軋輥。本發(fā)明還公開了一種用于軋制納米尺度孔結構材料的軋制生產線，包括如上所述的用于軋制納米尺度孔結構材料的軋輥組。通過在軋輥本體上設置納米尺度扎針，采用輥壓的方式在被軋制的納米尺度孔上加工納米尺度孔，相較于現(xiàn)有的納米尺度孔加工方式，能夠大大節(jié)省成本，且可規(guī)模化生產。

技術領域

本發(fā)明涉及一種軋制設備，具體的為一種用于軋制納米尺度孔結構材料的軋輥及軋輥組和軋制生產線。

背景技術

公開號為CN107973268B的中國專利公開了一種一種納米及微米孔的加工方法，包括如下步驟：

步驟一：用去離子水清洗基材，并用等離子清洗機清除其表面臟污；

步驟二：在基材上旋涂光刻膠，曝光、顯影，形成特定的基板；

步驟三：在基板表面沉積微納復合結構金屬粒子；所述微納復合結構金屬粒子以磁性內核為中心，且磁性內核的表面鍍有由多個納米金、銀或鋁粒子組成的納米金屬粒子鍍層；

步驟四：去除光刻膠，只保留沉積在基板表面的微納復合結構金屬粒子點陣列；

步驟五：采用激光對表面有微納復合結構金屬粒子的基板進行照射，同時在反應腔內施加均勻強磁場；由均勻強磁場引導微納復合結構金屬粒子中的磁性內核帶動整個微納復合結構金屬粒子在基板中定向移動，對基板進行加工形成加工孔；

步驟六：直至加工孔達到目標孔徑大小、形狀、深度的納米孔或微米孔后，中止激光照射及移除均勻強磁場，獲得成品。

該納米及微米孔的加工方法雖然在一定程度上能夠滿足納米孔的生產加工要求，但存在成本高的缺點，且僅能夠滿足小批量的生產要求，無法規(guī)模化生產。

發(fā)明內容

有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種用于軋制納米尺度孔結構材料的軋輥及軋輥組和軋制生產線，能夠滿足納米尺度孔的軋制生產要求。

為達到上述目的，本發(fā)明提供如下技術方案：

本發(fā)明首先提出了一種用于軋制納米尺度孔結構材料的軋輥，包括軋輥本體，所述軋輥本體上設有用于軋制納米尺度孔的納米尺度扎針。

進一步，所述軋輥本體包括轉軸，所述納米尺度扎針設置在所述轉軸的外周壁上；或，所述軋輥本體包括轉軸，所述轉軸上可拆卸地套裝設有與其同步轉動的軋輥套，所述納米尺度扎針設置在所述軋輥套的外周壁上。

進一步，所述軋輥本體上設有與其同軸并用于控制所述納米尺度扎針的軋制深度的控制環(huán)。

進一步，所述控制環(huán)間隔設為至少一個，且所述控制環(huán)固定設置在所述轉軸的外周壁上，或所述控制環(huán)設置在所述軋輥套上，或所述控制環(huán)套裝設置在所述轉軸上并與所述轉軸同步轉動。

進一步，所述控制環(huán)的外徑小于等于所述納米尺度扎針的針尖距離所述軋輥本體軸線的距離；或所述控制環(huán)的外徑大于所述納米尺度扎針的針尖距離所述軋輥本體軸線的距離，且所述控制環(huán)的外徑與所述納米尺度扎針的針尖距離所述軋輥本體軸線的距離之差大于等于0.5um。

進一步，所述納米尺度扎針的軸線位于所述軋輥本體的徑向方向上，所述納米尺度扎針的高度大于等于1nm。

進一步，所述納米尺度扎針陣列設置在所述軋輥本體的外周壁上。

進一步，所述納米尺度扎針呈漸變陣列設置。

進一步，所述納米尺度扎針以孔徑、孔間距或孔形狀為基準漸變陣列設置。