[發(fā)明專利]一種加載方形脊和屏蔽層的LTCC帶通濾波器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910285856.0 | 申請日: | 2019-04-10 |
| 公開(公告)號: | CN110048202B | 公開(公告)日: | 2020-12-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 徐娟;趙建平;張仕順;楊君;胡聰;許林青 | 申請(專利權(quán))人: | 曲阜師范大學(xué) |
| 主分類號: | H01P1/208 | 分類號: | H01P1/208 |
| 代理公司: | 南京理工大學(xué)專利中心 32203 | 代理人: | 薛云燕 |
| 地址: | 273165 山*** | 國省代碼: | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 加載 方形 屏蔽 ltcc 帶通濾波器 | ||
本發(fā)明公開了一種加載方形脊和屏蔽層的LTCC帶通濾波器。該濾波器包括由上至下設(shè)置的屏蔽層、金屬柱和介質(zhì)層,其中金屬柱用于支撐介質(zhì)層上方的屏蔽層,金屬柱上端與屏蔽層相連,下端與介質(zhì)層相連;所述介質(zhì)層上、下表面分別設(shè)置第一金屬貼片、第二金屬貼片,第一金屬貼片的一側(cè)通過第一微帶線與輸入端連接、另一側(cè)通過第二微帶線與輸出端連接;第一金屬貼片和第二金屬貼片的四側(cè)邊線均設(shè)有金屬通孔,第一、第二金屬貼片和金屬通孔在第一介質(zhì)層形成3個諧振腔,第一微帶線、第二微帶線與相鄰諧振腔之間分別嵌入一個方形脊,方形脊位于電場最大處。本發(fā)明濾波器具有體積小、重量輕的優(yōu)點,并且提高了帶外抑制性能,減小了通帶內(nèi)回波損耗。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及微波濾波器技術(shù)領(lǐng)域,特別是一種加載方形脊和屏蔽層的LTCC帶通濾波器。
背景技術(shù)
隨著微波毫米波集成電路技術(shù)的發(fā)展,為了實現(xiàn)系統(tǒng)的多功能混合,各種電子設(shè)備都朝著體積小、可靠性越高的方向發(fā)展。低溫共燒陶瓷(LTCC)技術(shù)憑借高集成度、高耐熱和高品質(zhì)因數(shù)等優(yōu)點,已經(jīng)成為無源集成的主流技術(shù)。
基片集成波導(dǎo)(SIW)濾波器與傳統(tǒng)矩形波導(dǎo)濾波器相比,實現(xiàn)形式更加豐富,結(jié)構(gòu)更加靈活,易加工且易于與其他電路元器件結(jié)合,適合微波毫米波電路的集成和制作。由于SIW濾波器大多是平面結(jié)構(gòu),在頻率較低時,結(jié)構(gòu)尺寸相對較大。
為了減少器件的尺寸,將LTCC技術(shù)與SIW技術(shù)結(jié)合,既減小了尺寸還實現(xiàn)整個基片集成波導(dǎo)的功能。但是目前基片集成波導(dǎo)帶通濾波器存在不能權(quán)衡通帶外抑制和通帶內(nèi)回波損耗的缺點,不容易控制和調(diào)節(jié)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種帶外抑制性能高、通帶內(nèi)回波損耗小的加載方形脊和屏蔽層的LTCC帶通濾波器。
實現(xiàn)本發(fā)明目的的技術(shù)解決方案為:一種加載方形脊和屏蔽層的LTCC帶通濾波器,包括由上至下設(shè)置的屏蔽層、金屬柱和介質(zhì)層,其中:
所述金屬柱用于支撐介質(zhì)層上方的屏蔽層,金屬柱上端與屏蔽層相連,下端與介質(zhì)層相連;
所述介質(zhì)層上、下表面分別設(shè)置第一金屬貼片、第二金屬貼片,第一金屬貼片的一側(cè)通過第一微帶線與輸入端連接、另一側(cè)通過第二微帶線與輸出端連接;
所述第一金屬貼片和第二金屬貼片的四側(cè)邊線均設(shè)有金屬通孔,第一金屬貼片、第二金屬貼片和金屬通孔在介質(zhì)層形成3個諧振腔,第一微帶線、第二微帶線與相鄰諧振腔之間分別嵌入一個方形脊,方形脊位于電場最大處。
進一步地,所述3個諧振腔沿著水平方向從輸入至輸出依次為第一諧振腔、第二諧振腔和第三諧振腔,3個諧振腔的縱向由4列相互平行的通孔隔開,每列通孔的數(shù)量為4個且上、下對稱。
進一步地,所述第一微帶線與第一諧振腔之間嵌入第一方形脊,所述第二微帶線與輸出端之間嵌入第二方形脊,第一方形脊和第二方形脊深入介質(zhì)層并且與第一金屬貼片共面。
進一步地,所述每個金屬通孔從上至下依次貫穿第一金屬貼片、介質(zhì)層和第二金屬貼片。
進一步地,所述金屬柱的數(shù)量為4根,設(shè)置于介質(zhì)層的4個角。
進一步地,所述屏蔽層與第一金屬貼片平行。
進一步地,所述第一方形脊設(shè)置于第一微帶線與第一諧振腔之間,第一方形脊深入介質(zhì)層并且與第一金屬貼片共面;所述第二方形脊設(shè)置于第二微帶線與第三諧振腔之間,第二方形脊深入介質(zhì)層并且與第一金屬貼片共面;所述第一方形脊和第二方形脊均靠近金屬通孔。
進一步地,所述介質(zhì)層的厚度為0.127mm,介電常數(shù)為7.1,濾波器的整體厚度為1.127mm。
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