[發(fā)明專利]一種近紅外硫化物長余輝發(fā)光材料及其制備方法與應(yīng)用有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910282347.2 | 申請日: | 2019-04-09 |
| 公開(公告)號: | CN110028958B | 公開(公告)日: | 2022-03-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 彭國鑫;李楊;趙韋人;竇曉靜;林曉卉 | 申請(專利權(quán))人: | 廣東工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號: | C09K11/62 | 分類號: | C09K11/62;A61K49/00 |
| 代理公司: | 廣州粵高專利商標(biāo)代理有限公司 44102 | 代理人: | 林麗明 |
| 地址: | 510006 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 紅外 硫化物 余輝 發(fā)光 材料 及其 制備 方法 應(yīng)用 | ||
本發(fā)明公開了一種近紅外硫化物長余輝發(fā)光材料,以ZnGa2S4為基材,基材中摻雜0.1~5.0mol%的Cr2O3,其結(jié)構(gòu)式為=ZnGa2S4:xCr3+,x=0.1~5.0mol%。通過將硫化鎵、硫化鋅和氧化鉻按照摩爾比為1:1:0.0004~0.025研磨混勻后放入反應(yīng)容器中,在硫氣氛中,于1100~1200℃下煅燒2~4小時,降溫冷卻,即得。本發(fā)明通過摻雜三價鉻離子,實(shí)現(xiàn)了近紅外長余輝發(fā)光,余輝發(fā)光峰位于740納米發(fā)光峰的余輝衰減時間長達(dá)600s,可用做近紅外光學(xué)活體動物成像熒光標(biāo)記物,具有較大的應(yīng)用前景。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及發(fā)光材料技術(shù)領(lǐng)域,更具體地,涉及一種近紅外硫化物長余輝發(fā)光材料及其制備方法與應(yīng)用。
背景技術(shù)
隨著醫(yī)學(xué)精密儀器設(shè)備的不斷發(fā)展,光學(xué)成像由于其獨(dú)特的高靈敏度、可移植性、非侵害性和時間有效性等優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于動物活體光學(xué)成像。但是,目前動物活體熒光成像主要面臨2個需求:(1)熒光探針的工作區(qū)域為生物透過窗口(600~1000nm和1100~1350nm)的近紅外光區(qū)工作以便增加光的深組織透過率;(2)熒光探針的激發(fā)光源不宜采用短波,以避免組織的自體熒光。長余輝發(fā)光材料是一種在激發(fā)光停止后依然能夠持續(xù)產(chǎn)生發(fā)光現(xiàn)象的特殊材料,主要應(yīng)用于儀器鐘表顯示、安全指示和裝飾裝潢等領(lǐng)域。由于Cr3+摻雜的近紅外長余輝材料在近紅外光區(qū)激發(fā)和發(fā)光,能有效的透過生物體組織,且發(fā)光區(qū)域位于生物第一透過窗口(650+50nm),且激發(fā)波長也將紅移至長波長波段。其獨(dú)特的長余輝效應(yīng),還可實(shí)時觀察生物體組織的變化過程。但是目前具有優(yōu)異性能的近紅外硫化物長余輝材料的種類還是很少,發(fā)光中心也很少,因此需要開發(fā)出新的性能優(yōu)異的近紅外硫化物長余輝材料,而且現(xiàn)有近紅外硫化物長余輝材料工藝復(fù)雜,不利于推廣生產(chǎn)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為了克服現(xiàn)有技術(shù)的上述不足缺點(diǎn)與不足,提供一種近紅外硫化物長余輝發(fā)光材料,余輝發(fā)光峰位于740納米發(fā)光峰的余輝衰減時間長達(dá)600s。
本發(fā)明的另一目的在于提供所述近紅外硫化物長余輝發(fā)光材料的制備方法。
本發(fā)明的再一目的在于提供所述近紅外硫化物長余輝發(fā)光材料的應(yīng)用。
本發(fā)明的上述目的是通過以下技術(shù)方案給予實(shí)現(xiàn)的:
一種近紅外硫化物長余輝發(fā)光材料,以ZnGa2S4為基材,基材中摻雜0.1~5.0mol%的Cr2O3;具體地,所述近紅外硫化物長余輝發(fā)光材料的結(jié)構(gòu)式為=ZnGa2S4:xCr3+,x=0.1~5.0mol%。
本發(fā)明的近紅外硫化物長余輝發(fā)光材料以ZnGa2S4為基體材料,以Cr3+為激活離子,通過三價鉻離子的摻雜,三價鉻離子摻雜進(jìn)三價金屬離子位(Ga位)。通過摻雜三價鉻離子,實(shí)現(xiàn)了近紅外長余輝發(fā)光,余輝發(fā)光峰位于740納米發(fā)光峰的余輝衰減時間長達(dá)600s。
上述結(jié)構(gòu)式中x表示Cr3+占基材ZnGa2S4的摩爾的百分比;優(yōu)選地,x=0.1~1mol%;更優(yōu)選地,x=1mol%。
優(yōu)選地,所述Cr2O3的摻雜量為0.1~1.0mol%。
更優(yōu)選地,所述Cr2O3的摻雜量為1mol%。
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