[發(fā)明專利]存儲器裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910280087.5
• 申請日: 2019-04-09
• 公開（公告）號: CN110364204A
• 公開（公告）日: 2019-10-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林洋緒;鄭基廷
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G11C11/412
• 分類號: G11C11/412;G11C11/418
• 代理公司: 北京派特恩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270
• 代理人: 康艷青;姚開麗

本揭露提供一種存儲器裝置包括以具有多個行及多個列的陣列排列的多個存儲單元。第一字線連接到陣列的第一行的第一多個存儲單元，且第二字線連接到陣列的第一行的第二多個存儲單元。在一些實例中，所述多個存儲單元被排列在襯底中或襯底上，并且第一字線形成在襯底的第一層中且第二字線形成在襯底的第二層中。

技術(shù)領(lǐng)域

本揭露的實施例是有關(guān)于一種存儲器裝置，且特別是有關(guān)于一種帶有飛字線的存儲器裝置。

背景技術(shù)

數(shù)字存儲器裝置通常以位的形式來存儲數(shù)據(jù)。舉例來說，靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(static random access memory，SRAM)包括存儲陣列，所述存儲陣列包括多個位單元，所述多個位單元中的每一者存儲數(shù)據(jù)的一個位。所述多個位單元被排列成行及列的矩陣。每一行中的位單元連接到字線且每一列中的位單元連接到位線對。所述位線對用于從位單元存取數(shù)據(jù)，且字線控制與位線的連接。在讀取及寫入操作期間，字線被充以高電荷，以激活附接到字線的位單元。從目標(biāo)列的對應(yīng)的位線對讀取數(shù)據(jù)。

發(fā)明內(nèi)容

本揭露提供一種存儲器裝置包括以具有多個行及多個列的陣列排列的多個存儲單元。第一字線連接到陣列的第一行的第一多個存儲單元，且第二字線連接到陣列的第一行的第二多個存儲單元。在一些實例中，所述多個存儲單元被排列在襯底中或襯底上，并且第一字線形成在襯底的第一層中且第二字線形成在襯底的第二層中。

附圖說明

包含附圖以便進(jìn)一步理解本發(fā)明，且附圖并入本說明書中并構(gòu)成本說明書的一部分。附圖說明本發(fā)明的實施例，并與描述一起用于解釋本發(fā)明的原理。

圖1是根據(jù)一些實施例的示例性存儲器裝置的方塊圖。

圖2是在圖1的實施例中所使用的SRAM存儲單元的實例的電路圖。

圖3是示出圖1的存儲器裝置的其他方面的實例的方塊圖。

圖4是示出根據(jù)一些實施例的存儲器裝置的各種層的實例的方塊圖。

圖5是示出圖1及圖3的存儲器裝置的其他方面的實例的方塊圖。

圖6是根據(jù)一些實施例的另一示例性存儲器裝置的方塊圖。

圖7是示出根據(jù)一些實施例的方法的實例的流程圖。

附圖標(biāo)號說明

100、200：存儲器裝置；

110：存儲陣列；

110A：第一部分/第一多個存儲單元；

110B：第二部分/第二多個存儲單元；

111、112、113、114：子陣列；

111A、112A、113A、114A：第一部分；

111B、112B、113B、114B：第二部分；

120、120A、120B：字線驅(qū)動器；

130：存儲單元；

132：行；

134、134A、134B、134n：列；

136、136A、136B：位線/位線對；

140：控制器；

142：層；

150：多路復(fù)用器；

151、151A、151B：第一多路復(fù)用器；

152、152A、152B：第二多路復(fù)用器；