[發明專利]一種基于準零維接觸的二維薄膜埋柵場效應晶體管在審
| 申請號： | 201910278746.1 | 申請日： | 2019-04-09 |
| 公開（公告）號： | CN110323282A | 公開（公告）日： | 2019-10-11 |
| 發明（設計）人： | 任天令;王雪峰;田禾;楊軼 | 申請（專利權）人： | 清華大學 |
| 主分類號： | H01L29/786 | 分類號： | H01L29/786;H01L29/45;H01L21/34;H01L51/05;H01L51/10;H01L51/40 |
| 代理公司： | 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 廖元秋 |
| 地址： | 100084*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 二維薄膜 場效應晶體管 第一電極 零維結構 埋柵 依次層疊 晶體管 場效應晶體管器件 低接觸電阻 絕緣體材料 超高電流 導電通路 第二電極 埋柵電極 柵控電壓 接地 介質層 金屬電 金屬源 開關比 生成層 圖形化 細絲狀 襯底 淀積 遷徙 | ||
1.一種基于準零維接觸的二維薄膜埋柵場效應晶體管，其特征在于，包括：
依次層疊的襯底、埋柵電極、埋柵介質層和二維薄膜，所述二維薄膜一側依次層疊有準零維結構形成層和作為準零維金屬源的第一電極，所述二維薄膜另一側層疊有接地的第二電極；其中，
所述埋柵電極，采用金屬、導電非金屬或柔性電極材料制成，用于傳導所述場效應晶體管的電壓控制信號；
所述埋柵介質層，由金屬氧化物、二維絕緣體或柔性絕緣體制成，用于形成電場、并用于所述埋柵電極與在所述二維薄膜內形成的溝道間的隔離；
所述二維薄膜，為具有半導體特性的二維薄膜，通過該二維薄膜對其內溝道的電阻進行調控，進而實現對所述場效應晶體管開關特性的調控；
所述準零維結構形成層，采用絕緣體材料通過光刻圖像化和淀積方法制成，用于通過所述第一電極的金屬電遷徙特性在所述準零維結構生成層內形成細絲狀的導電通路，從而在所述第一電極和二維薄膜間形成準零維接觸。
2.根據權利要求1所述的場效應晶體管，其特征在于，所述準零維結構形成層的厚度為0.7nm～300nm。
3.根據權利要求1所述的場效應晶體管，其特征在于，制備所述準零維結構形成層所采用的淀積方法包括磁控濺射、電子束蒸發、化學氣相淀積和物理氣相淀積方法。
4.根據權利要求1所述的場效應晶體管，其特征在于，所述二維薄膜采用二維過渡金屬硫族化合物薄膜、狄拉克二維薄膜、有機二維薄膜或柔性二維薄膜。
5.根據權利要求1所述的場效應晶體管，其特征在于，所述二維薄膜的厚度為0.33nm-50nm。
6.根據權利要求1所述的場效應晶體管，其特征在于，所述第一電極，采用能夠產生電遷徙的材料制得。
7.根據權利要求6所述的場效應晶體管，其特征在于，所述第一電極采用鋁、銀或銅制得。
8.根據權利要求1所述的場效應晶體管，其特征在于，所述第二電極，采用金屬、導電非金屬或柔性電極材料制成。
9.根據權利要求1所述的場效應晶體管，其特征在于，所述襯底采用絕緣材料制成，用于為整個場效應晶體管提供物理支撐和電學隔離。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于清華大學，未經清華大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910278746.1/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
