[發(fā)明專利]用于集成電路的蝕刻劑組合物有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910275879.3 | 申請日： | 2019-04-08 |
| 公開（公告）號： | CN110129056B | 公開（公告）日： | 2021-04-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 楊金順;魏鳳珍;王玨 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海舸海科技有限公司 |
| 主分類號： | C09K13/06 | 分類號： | C09K13/06;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京權(quán)智天下知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11638 | 代理人： | 王新愛 |
| 地址： | 201900 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 集成電路 蝕刻 組合 | ||
1.用于集成電路的蝕刻劑組合物，其特征在于：包括，以所述蝕刻劑組合物的總重量計，
3-10wt%的硝酸；
9-16wt%的鹽酸；
0.01-1wt%的仙草膠；
和余量的水；
其中，所述硝酸和鹽酸的wt%比是1:0.3-2，所述仙草膠中仙草多糖的含量高于83.25%。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于集成電路的蝕刻劑組合物，其特征在于：所述蝕刻劑組合物用于蝕刻金屬氧化物單層膜或由所述單層膜組成的多層膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于集成電路的蝕刻劑組合物，其特征在于：所述氧化物單層膜包括Ga-X-O層，X為In、Zn或In-Zn。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于集成電路的蝕刻劑組合物，其特征在于：所述的蝕刻劑組合物還包括表面活性劑。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于集成電路的蝕刻劑組合物，其特征在于：所述的蝕刻劑組合物還包括硝酸羥胺。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于集成電路的蝕刻劑組合物，其特征在于：所述蝕刻劑組合物包括，以所述蝕刻劑組合物的總重量計，5-8wt%的硝酸；10-12wt%的鹽酸；0.1-0.3wt%的仙草膠；0.5-0.7wt%表面活性劑；0.31-0.33wt%的硝酸羥胺和余量的水。
7.金屬氧化物層的蝕刻方法，其特征在于：利用權(quán)利要求1-6任一項所述的蝕刻劑組合物。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的金屬氧化物層的蝕刻方法，其特征在于：所述蝕刻方法包括如下步驟：
在基板上形成金屬氧化物層；
選擇性地在金屬氧化物層上留下光反應(yīng)型材料，以使金屬氧化物層的一部分暴露；
和使用蝕刻劑組合物蝕刻被暴露的金屬氧化物層。
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