[發(fā)明專利]一種透明柔性的寬光譜光電轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)及制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910275800.7 | 申請日: | 2019-04-08 |
| 公開(公告)號: | CN109950340B | 公開(公告)日: | 2020-07-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 劉歡;劉衛(wèi)國;白民宇;安妍;舒利利;韓軍;劉蓉 | 申請(專利權(quán))人: | 西安工業(yè)大學 |
| 主分類號: | H01L31/0392 | 分類號: | H01L31/0392;H01L31/0224;H01L31/028;H01L31/0352;H01L31/0216;H01L31/09;H01L31/18 |
| 代理公司: | 西安智大知識產(chǎn)權(quán)代理事務所 61215 | 代理人: | 何會俠 |
| 地址: | 710021 陜*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 透明 柔性 光譜 光電 轉(zhuǎn)換 結(jié)構(gòu) 制作方法 | ||
本發(fā)明公開了一種透明柔性的寬光譜光電轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)及制作方法,該寬光譜光電轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)包括基底、下電極、光敏層、上電極以及保護層;下電極覆蓋在基底的上表面,光敏層覆蓋在下電極的上表面,上電極覆蓋在光敏層的上表面,保護層覆蓋在上電極的上表面,構(gòu)成多層復合結(jié)構(gòu);采用透明柔性材料制作基底和保護層,以導電納米線網(wǎng)格制作下電極和上電極,以寬光譜光電轉(zhuǎn)換材料制作光敏層;下電極、上電極和光敏層的薄膜構(gòu)成寬光譜光電轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu),該寬光譜光電轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)具有良好的透光性和柔韌性,可在一定范圍內(nèi)承受彎折、扭轉(zhuǎn)等變形,并具有優(yōu)良的耐沖擊性能,與柔性電路集成后,可以在曲面上安裝,在沖擊載荷條件下使用。可滿足吸收轉(zhuǎn)換一部分光能,又能透過一部分光能的應用需求。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于光電探測技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種透明柔性的寬光譜光電轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)及制作方法。
背景技術(shù)
光電探測器是由光照引起被照射材料電導率發(fā)生改變而進行探測。光電探測器具有廣泛用途,例如成像、探測、工業(yè)自動控制和光度計量等。光電探測器由光電轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)和處理電路構(gòu)成,其中光電轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)是光電探測器核心元件。
單晶硅光電探測器是目前廣泛應用的一種光電探測器。單晶硅是一種優(yōu)良的半導體材料,具有較好的光電轉(zhuǎn)換性能;同時單晶硅工藝成熟,與半導體集成電路芯片工藝兼容性高,因此單晶硅光電轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)在各類光電探測器中得到了廣泛應用。隨著社會發(fā)展與技術(shù)進步,光電探測器的應用越來越廣泛和深入,在很多場合下,光電探測器需要滿足曲面安裝或者在沖擊載荷下良好工作,例如智能汽車、無人機、機器人、可穿戴設(shè)備以及制導武器等,但是由于單晶硅是脆硬材料,使得以單晶硅光電轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)的光電探測器在這些場合下的應用受到很大的限制。在某些自然條件下有時需要降低光電轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)受到的光照強度并減少光照產(chǎn)生的溫升,就需要該結(jié)構(gòu)既能吸收轉(zhuǎn)換一部分光能,又能透過一部分光能,這結(jié)構(gòu)的透明程度提出了需求,而硅材料不透可見光,無法實現(xiàn)該功能。
發(fā)明內(nèi)容
為解決以上問題,本發(fā)明提出一種透明柔性的寬光譜光電轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)及制作方法。該光電轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)由柔性材料構(gòu)成,可在一定范圍的翹曲、扭轉(zhuǎn)等非常規(guī)姿態(tài)下穩(wěn)定工作,并具有優(yōu)良的耐沖擊性能,與柔性電路集成后,可以在曲面上安裝,在沖擊載荷條件下使用,可以安裝至絕大多數(shù)載具。并且該結(jié)構(gòu)的材料具有一定透明度,可滿足吸收轉(zhuǎn)換一部分光能,又能透過一部分光能的應用需求。
為實現(xiàn)以上目的,本發(fā)明采用如下方案。
一種透明柔性的寬光譜光電轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu),包括基底1、下電極2、光敏層3、上電極4以及保護層5;所述基底1由透明柔性材料構(gòu)成,其上表面具有三維微結(jié)構(gòu);保護層5由透明柔性材料構(gòu)成,其下表面具有三維微結(jié)構(gòu);下電極2和上電極4均為具有柔性的透明導電薄膜;光敏層3為具有柔性和透明度的寬光譜光電轉(zhuǎn)換材料薄膜;所述下電極2覆蓋在基底1上表面三維微結(jié)構(gòu)的表面,光敏層3覆蓋在下電極2的上表面,上電極4覆蓋在光敏層3的上表面,保護層5覆蓋在上電極的上表面,構(gòu)成縱向多層寬光譜光電轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu);該結(jié)構(gòu)具有柔性,能夠在一定范圍內(nèi)承受彎折、扭轉(zhuǎn)變形,適應曲面應用需求,同時能夠在沖擊載荷條件下應用;該結(jié)構(gòu)的基底1、下電極2、光敏層3、上電極4以及保護層5均具有透明度,能夠?qū)崿F(xiàn)部分光波吸收并轉(zhuǎn)換為電信號,部分光波透過結(jié)構(gòu);
可見光到近紅外波段的光波穿過透明的保護層5,然后透過透明的上電極4,到達光敏層3,光敏層3在光波的激發(fā)下產(chǎn)生光生載流子,光波繼續(xù)穿過下電極2后到達透明的基底1與下電極2貼合的表面,部分光波透過基底1到達結(jié)構(gòu)外空間,部分光波被基底1反射并穿過下電極2后再次到達光敏層3,再次激發(fā)光敏層3產(chǎn)生光生載流子,由光敏層3產(chǎn)生的光生載流子包括電子和空穴兩類,若上電極4接外電路正極、下電極2接外電路負極,其中的電子在上電極4和下電極2產(chǎn)生的電場作用下向上電極4運動,空穴在上電極4和下電極2產(chǎn)生的電場作用下向下電極2運動,到達上下電極的光生載流子被分別被電極收集并向外電路流出,從而形成光電流,光電流的大小代表了光信號的強弱,實現(xiàn)對可見光到近紅外波段的光波的探測。
所述的基底1和保護層5的透明柔性材料壓印成型,采用PDMS有機硅膠。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





