[發明專利]LED驅動電路、工頻方波信號采樣電路及方法

有效

• 申請號: 201910274712.5
• 申請日: 2019-04-08
• 公開（公告）號: CN111867183B
• 公開（公告）日: 2022-11-22
• 發明（設計）人: 張識博;盧圣晟;劉軍
• 申請（專利權）人: 華潤微集成電路（無錫）有限公司
• 主分類號: H05B45/30
• 分類號: H05B45/30
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

1.一種工頻方波信號采樣電路，其特征在于，所述工頻方波信號采樣電路包括：

采樣模塊，與工頻方波信號輸入端相連接，用于對工頻方波信號進行采樣以得到采樣電壓；

內部時鐘信號模塊，與所述采樣模塊相連接，用于產生時鐘信號，并依據所述時鐘信號控制所述采樣模塊的采樣頻率；

工頻周期復位模塊，一端與所述工頻方波信號輸入端相連接，另一端與所述內部時鐘信號模塊相連接，用于在各工頻周期的同一時刻將所述時鐘信號進行復位，并使所述時鐘信號重新計數。

2.根據權利要求1所述的工頻方波信號采樣電路，其特征在于，所述采樣模塊包括：

開關，包括第一端、第二端及控制端，所述開關的第一端與所述工頻方波信號輸入端相連接，所述開關的控制端與所述內部時鐘信號模塊相連接；

第一電容，所述第一電容的上極板與所述開關的第二端相連接，所述第一電容的下極板接地。

3.根據權利要求2所述的工頻方波信號采樣電路，其特征在于，所述工頻方波信號采樣電路還包括采樣電壓控制模塊，所述采樣電壓控制模塊的輸入端與所述開關的第二端及所述第一電容的上極板相連接，所述采樣電壓控制模塊用于將所述采樣模塊獲得的所述采樣電壓進行處理，以得到濾平的輸出電壓。

4.根據權利要求1所述的工頻方波信號采樣電路，其特征在于，所述工頻周期復位模塊用于在各所述工頻周期的上升沿或下降沿將所述時鐘信號進行復位，并使所述時鐘信號重新計數。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的工頻方波信號采樣電路，其特征在于，所述工頻周期復位模塊包括開關管，所述開關管包括控制端、第一端及第二端，所述開關管的控制端與工頻方波信號的復位邏輯相連接，所述開關管的第一端與所述內部時鐘信號模塊相連接，所述開關管的第二端接地。

6.根據權利要求5所述的工頻方波信號采樣電路，其特征在于，所述工頻周期復位模塊包括NMOS開關管，所述NMOS開關管的柵極與所述工頻方波信號的復位邏輯相連接，所述NMOS開關管的漏極與所述內部時鐘信號模塊相連接，所述NMOS開關管的源極接地。

7.根據權利要求6所述的工頻方波信號采樣電路，其特征在于，所述內部時鐘信號模塊包括：

第一電流源，所述第一電流源的一端與供電電源相連接；

第一NMOS管，所述第一NMOS管的漏極與所述第一電流源遠離所述供電電源的一端相連接，所述第一NMOS管的柵極與所述第一NMOS管的漏極短接，所述第一NMOS管的源極接地；

第二NMOS管，所述第二NMOS管的柵極與所述第一NMOS管的柵極相連接，所述第二NMOS管的源極接地；

第三NMOS管，所述第三NMOS管的柵極與所述第一NMOS管的柵極相連接，所述第三NMOS管的源極接地；

第四NMOS管，所述第四NMOS管的柵極與施密特觸發器的輸出端相連接，所述第四NMOS管的源極與所述第三NMOS管的漏極相連接，所述第四NMOS管的漏極與所述施密特觸發器的輸入端相連接；

第一PMOS管，所述第一PMOS管的源極與所述供電電源相連接，所述第一PMOS管的漏極與所述第二NMOS管的漏極相連接，所述第一PMOS管的柵極與所述第一PMOS管的漏極短接；

第二PMOS管，所述第二PMOS管的柵極與所述第一PMOS管的柵極相連接，所述第二PMOS管的源極與所述供電電源相連接；

第三PMOS管，所述第三PMOS管的柵極與所述施密特觸發器的輸出端相連接，所述第三PMOS管的源極與所述第二PMOS管的漏極相連接，所述第三PMOS管的漏極與所述施密特觸發器的輸入端相連接；

第二電容，所述第二電容的上極板與所述第三PMOS管的漏極及所述第四NMOS管的漏極相連接，所述第二電容的下極板接地。

8.一種工頻方波信號采樣方法，基于如權利要求1至7任意一項所述的工頻方波信號采樣電路實現，其特征在于，所述工頻方波信號采樣方法包括：

對工頻方波信號采樣的過程中，在各工頻周期的同一時刻將控制采樣頻率的時鐘信號進行復位，并使所述時鐘信號重新計數。