[發明專利]顯示面板及顯示裝置在審
| 申請號: | 201910274498.3 | 申請日: | 2019-04-08 |
| 公開(公告)號: | CN110047884A | 公開(公告)日: | 2019-07-23 |
| 發明(設計)人: | 張福陽 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黃威 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 薄膜晶體管層 有機發光層 顯示面板 封裝層 顯示裝置 基板層 攝像區 顯示區 第一基板 通孔 貫穿 | ||
本發明提供了一種顯示面板及顯示裝置。所述顯示面板具有顯示區及攝像區。其中,所述顯示區設有基板層、薄膜晶體管層、有機發光層以及封裝層。所述薄膜晶體管層設于所述第一基板層上。所述有機發光層設于所述薄膜晶體管層上。所述封裝層覆于所述有機發光層上。所述攝像區設有一通孔,所述通孔由所述封裝層貫穿至所述基板層。
技術領域
本發明涉及顯示領域,特別是一種顯示面板及顯示裝置。
背景技術
手機、平板電腦等智能終端由于其集便利性、娛樂性、功能多樣性于一體的特點,越來越成為人們日常生活中不可獲缺的一部分,但是,隨著終端技術的不斷發展,更多更先進的技術在智能終端上的應用,大大地豐富了人們的生活;但是,與此同時,人們對智能終端的要求和期望也越來越高,人們在享受手機、平板電腦等智能終端帶來的基礎性功能的同時,也對智能終端提出了更高的要求,如智能終端的全面屏設計。
全面屏是手機業界對于超高屏占比手機設計的一個比較寬泛的定義。從字面上解釋就是手機的正面全部都是屏幕,手機的四個邊框位置都是采用無邊框設計,追求接近100%的屏占比。全面屏手機首先提升了手機的顏值,讓手機看上去更有科技感,另外同樣機身正面的面積可以容納更大的屏幕,對于視覺體驗有著顯著的提升。
當下手機屏幕多采用OLED(Organic Light-Emitting Diode,有機發光二極管)顯示屏,但由于受限于目前的技術,如何采用OLED顯示屏實現全面屏的顯示效果是一大難點。由于有前置攝像頭和后置攝像頭的存在,這使得智OLED顯示屏的屏幕占比減小,現有技術中,為了追求更高的屏占比出現了“劉海屏”“水滴屏”的近似全面屏的設計,影響了終端智能終端的整體美觀度。因此,現有技術中需要一種能夠進一步較小或消除攝像頭對屏占比的影響并提升屏占比的技術方案。
發明內容
本發明的目的是提供一種顯示面板以及顯示裝置,通過在顯示面板上設置通孔并形成透光區,可以將顯示模塊與照相模塊相結合,即無需在將顯示模塊與照相模塊分離為獨立區域,以解決現有技術中攝像頭對顯示屏造成的屏占比較低的問題。
為實現上述目的,本發明提供一種顯示面板,所述顯示面板具有顯示區及攝像區。其中,所述顯示區設有基板層、薄膜晶體管層、有機發光層以及封裝層。所述薄膜晶體管層設于所述第一基板層上。所述有機發光層設于所述薄膜晶體管層上。所述封裝層覆于所述有機發光層上。所述攝像區設有一通孔,所述通孔由所述封裝層貫穿至所述基板層。
進一步地,所述通孔具有一孔壁。所述攝像區還設有密封層以及反光層。其中,所述密封層覆于所述通孔的孔壁上。所述反光層覆于所述密封層上。
進一步地,所述通孔靠近所述基板層的孔徑小于其靠近所述封裝層的孔徑。
進一步地,所述基板層包括第一基板層、阻隔層以及第二基板層。所述阻隔層設于所述第一基板層上。所述第二基板層設于所述阻隔層上遠離所述第一基板層的一側。
進一步地,所述第一基板層和第二基板層的材料為聚酰亞胺。所述阻隔層的材料為硅氧化合物。
進一步地,所述有機發光層包括紅色像素單元、綠色像素單元以及藍色像素單元。
進一步地,所述密封層的材料為硅氧化合物、硅氮化合物、硅氮氧化合物、無定形硅中的一種或多種。
進一步地,所述反光層的材料為金屬。
本發明中還提供一種顯示裝置,所顯示裝置包括如上所述的顯示面板。
進一步地,所述顯示裝置還包括一攝像頭,所述攝像頭設于所述顯示面板的靠近所述第一基板層的一面上,并與所述通孔相對應。
本發明的優點是:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





