[發(fā)明專利]一種用于提高光電探測(cè)器光譜響應(yīng)度的多層結(jié)構(gòu)

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910274292.0
• 申請(qǐng)日: 2019-04-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109994611A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-07-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孟彥龍;檀珺;徐愷
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)計(jì)量大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L51/42
• 分類號(hào): H01L51/42
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種用于提高光電探測(cè)器光譜響應(yīng)度的多層結(jié)構(gòu)，其特征在于，基底上依次沉積的底層金屬層1、由1~N個(gè)子層構(gòu)成的源層2、金屬層3和頂部介質(zhì)層4組成，底層金屬層1與金屬層3以及中間源層2構(gòu)成一種光電探測(cè)器結(jié)構(gòu)，頂部介質(zhì)層4作為光學(xué)優(yōu)化層與光電探測(cè)器相耦合。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于提高光電探測(cè)器光譜響應(yīng)度的多層結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的底層金屬層1為Au，Ag，Al，Cu，Ni中的一種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于提高光電探測(cè)器光譜響應(yīng)度的多層結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的源層2由1~N個(gè)子層構(gòu)成，N為1~5之間的整數(shù)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于提高光電探測(cè)器光譜響應(yīng)度的多層結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的金屬層3為Au，Ag，Al，Cu，Ni中的一種。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于提高光電探測(cè)器光譜響應(yīng)度的多層結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的頂部介質(zhì)層4為ZnO, Si3N4, ,Al2O3，SiO2，ZnS中的一種。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種用于提高光電探測(cè)器光譜響應(yīng)度的多層結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的底層金屬層1厚度不小于100 nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種用于提高光電探測(cè)器光譜響應(yīng)度的多層結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的源層2厚度為10nm~200nm之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種用于提高光電探測(cè)器光譜響應(yīng)度的多層結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的金屬層3厚度1 nm ~ 50 nm之間。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種用于提高光電探測(cè)器光譜響應(yīng)度的多層結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述的頂部介質(zhì)層4厚度為1nm~200nm之間。