[發(fā)明專利]制作LTPS TFT基板的方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910274244.1
• 申請(qǐng)日: 2019-04-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110112099A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-08-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林欽遵
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/77
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/77
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

1.一種制作LTPS TFT基板的方法，其特征在于，包括以下步驟：

S11、提供一基板，在所述基板上形成一緩沖層，在所述緩沖層上形成一圖案化多晶硅有源層；

S12、形成覆蓋所述圖案化多晶硅有源層的一柵極絕緣層，在所述柵極絕緣層上依序形成一第一金屬層與一第二金屬層；

S13、在所述第二金屬層上涂布光阻，經(jīng)曝光、顯示后得到對(duì)應(yīng)于所述圖案化多晶硅有源層中部上方的一圖案化光阻層；

S14、以所述圖案化光阻層為遮蔽層，對(duì)所述第一金屬層與所述第二金屬層進(jìn)行第一次蝕刻，其中所述第二金屬層的蝕刻速率大于所述第一金屬層的蝕刻速率，以致蝕刻后的所述第二金屬層的線寬小于蝕刻后的所述第一金屬層的線寬；

S15、利用第二次蝕刻來(lái)灰化所述圖案化光阻層的邊緣，使得灰化后的所述圖案化光阻層的線寬與所述第二金屬層的線寬大致上相同；

S16、以所述第二金屬層與所述第一金屬層為遮蔽層，對(duì)所述圖案化多晶硅有源層進(jìn)行離子植入，得到位于所述圖案化多晶硅有源層中部且對(duì)應(yīng)所述圖案化光阻層的溝道區(qū)域、所述溝道區(qū)域外側(cè)的兩個(gè)輕摻雜區(qū)域、所述兩個(gè)輕摻雜區(qū)域外側(cè)的兩個(gè)重?fù)诫s區(qū)域；及

S17、剝離去除所述圖案化光阻層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作LTPS TFT基板的方法，其特征在于，在步驟S11中在所述緩沖層上形成一圖案化多晶硅有源層的步驟包括：

在所述緩沖層上形成一非晶硅層；

對(duì)所述非晶硅層進(jìn)行準(zhǔn)分子激光退火處理，以將所述非晶硅層形成為一多晶硅層；及

對(duì)所述多晶硅層進(jìn)行圖案化，以形成所述圖案化多晶硅有源層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作LTPS TFT基板的方法，其特征在于，所述第一金屬層的材質(zhì)為鉬(Mo)或鉬鈦合金(MoTi)，所述第二金屬層的材質(zhì)為銅(Cu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制作LTPS TFT基板的方法，其特征在于，所述第一次蝕刻為濕蝕刻，所述第二次蝕刻為干蝕刻。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作LTPS TFT基板的方法，其特征在于，所述步驟S6中對(duì)所述圖案化多晶硅有源層所進(jìn)行的離子植入是N型離子植入或P型離子植入。

6.一種制作LTPS TFT基板的方法，其特征在于，包括以下步驟：

S21、提供一基板，在所述基板上形成一緩沖層，在所述緩沖層上形成一圖案化多晶硅有源層；

S22、形成覆蓋所述圖案化多晶硅有源層的一柵極絕緣層，在所述柵極絕緣層上依序形成一第一金屬層與一第二金屬層；

S23、在所述第二金屬層上涂布光阻，經(jīng)曝光、顯示后得到對(duì)應(yīng)于所述圖案化多晶硅有源層中部上方的一圖案化光阻層；

S24、以所述圖案化光阻層為遮蔽層，對(duì)所述第二金屬層進(jìn)行第一次蝕刻，以致蝕刻后的所述第二金屬層的線寬小于蝕刻后的所述圖案化光阻層的線寬；

S25、以所述圖案化光阻層為遮蔽層，對(duì)所述第一金屬層進(jìn)行第二次蝕刻，所述第二次蝕刻并灰化所述圖案化光阻層的邊緣，使得蝕刻后的所述第一金屬層的線寬大于所述第二金屬層的線寬，灰化后的所述圖案化光阻層的線寬與所述第二金屬層的線寬大致上相同，；

S26、以所述第二金屬層與所述第一金屬層為遮蔽層，對(duì)所述圖案化多晶硅有源層進(jìn)行離子植入，得到位于所述圖案化多晶硅有源層中部且對(duì)應(yīng)所述圖案化光阻層的溝道區(qū)域、所述溝道區(qū)域外側(cè)的兩個(gè)輕摻雜區(qū)域、所述兩個(gè)輕摻雜區(qū)域外側(cè)的兩個(gè)重?fù)诫s區(qū)域；及

S27、剝離去除所述圖案化光阻層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制作LTPS TFT基板的方法，其特征在于，在步驟S21中在所述緩沖層上形成一圖案化多晶硅有源層的步驟包括：

在所述緩沖層上形成一非晶硅層；

對(duì)所述非晶硅層進(jìn)行準(zhǔn)分子激光退火處理，以將所述非晶硅層形成為一多晶硅層；及

對(duì)所述多晶硅層進(jìn)行圖案化，以形成所述圖案化多晶硅有源層。