[發明專利]一種生長ZnO自組裝納米結構的制備方法及用途

在審

• 申請號: 201910271637.7
• 申請日: 2019-04-04
• 公開（公告）號: CN109980091A
• 公開（公告）日: 2019-07-05
• 發明（設計）人: 紀文宇;戴棚棚
• 申請（專利權）人: 吉林大學
• 主分類號: H01L51/42
• 分類號: H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48;H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 蘇州創策知識產權代理有限公司 32322
• 代理人: 董學文

1.一種生長ZnO自組裝納米結構，其特征在于：所述納米結構形成在襯底和溶液混合的交界面并沉積在襯底上。

2.根據權利要求1所述的ZnO自組裝納米結構的制備方法如下：

步驟一：制備襯底；

步驟二：將含鋅基材料和堿性溶質分別溶解在溶劑中，制備出含鋅基材料溶液和堿性溶液；

步驟三：將含鋅基材料溶液和堿性溶液按20：1到20：20的體積比例混合制備出混合溶液，然后將制備的襯底與該混合溶液進行接觸并反應，再經后處理，得到生長ZnO自組裝納米結構。

3.根據權利要求3所述的ZnO自組裝納米結構的制備方法，其特征在于：所述堿性溶質為KOH、NaOH、LiOH或四甲基氫氧化銨。

4.根據權利要求3所述的ZnO自組裝納米結構的制備方法，其特征在于：所述含鋅基材料在溶劑溶液中的含量為1～25(w/v)％，所述堿性溶質在溶劑溶液中的含量為0.1～20(w/v)％。

5.根據權利要求2所述的ZnO自組裝納米結構的制備方法，其特征在于：所述步驟三中反應和后處理包括加熱和干燥，所述加熱為在25℃～90℃下加熱1～30min；所述干燥為褪火直到襯底上的醇性溶劑完全蒸發。

6.根據權利要求2所述的ZnO自組裝納米結構的制備方法，其特征在于：所述步驟一中襯底為玻璃襯底、硅或二氧化硅襯底，所述襯底上包含導電薄膜及有機或無機材料的半導體功能層薄膜。

7.根據權利要求2所述的ZnO自組裝納米結構的制備方法，其特征在于：所述步驟二中溶劑為醇性溶劑或二甲基亞砜任意一種。

8.根據權利要求5所述的ZnO自組裝納米結構的制備方法，其特征在于：所述導電薄膜包含銀、鋁、金、銅等金屬導電薄膜，銦錫氧化物(ITO)導電薄膜、摻氟的SnO₂透明導電玻璃(FTO)，所述半導體功能層薄膜包含ZnO薄膜、無機量子點薄膜和有機小分子薄膜。