[發明專利]加熱方法以及加熱裝置

在審

• 申請號: 201910271611.2
• 申請日: 2019-04-04
• 公開（公告）號: CN111785626A
• 公開（公告）日: 2020-10-16
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L21/324
• 分類號: H01L21/324;H01L21/67;H01L21/66
• 代理公司: 上海晨皓知識產權代理事務所(普通合伙) 31260
• 代理人: 成麗杰

1.一種加熱方法，用于對晶圓以及位于所述晶圓上的具有光刻圖形的光刻膠層進行加熱處理，且在所述加熱處理后所述光刻圖形具有期望線寬尺寸，所述晶圓為翹曲變形的晶圓，其特征在于，包括：

獲取距離溫度關系式，所述距離溫度關系式表征，將所述晶圓置于加熱盤上進行加熱以對所述光刻膠層進行加熱處理之后，在所述光刻圖形具有不同的實際線寬尺寸下，所述晶圓的翹曲高度值與所述加熱盤的加熱溫度之間的對應關系；

量測所述晶圓的不同翹曲高度處對應的翹曲高度值，基于所述翹曲高度值、所述距離溫度關系式以及所述期望線寬尺寸，設置所述加熱裝置向所述晶圓的不同翹曲高度處對應提供的設定加熱溫度值，對所述光刻膠層進行加熱處理。

2.如權利要求1所述的加熱方法，其特征在于，所述距離溫度關系式以在同一坐標系中的多條曲線的形式表示，其中，每一條曲線對應為所述光刻圖形具有的一個實際線寬尺寸下，所述晶圓的翹曲高度值與所述加熱盤的加熱溫度之間的關系曲線。

3.如權利要求2所述的加熱方法，其特征在于，所述坐標系中的橫坐標表征所述晶圓的翹曲高度值；所述坐標系中的縱坐標表征所述加熱盤的加熱溫度。

4.如權利要求1或3所述的加熱方法，其特征在于，所述期望線寬尺寸為所述不同的實際線寬尺寸中的任一個。

5.如權利要求4所述的加熱方法，其特征在于，所述基于所述距離溫度關系式以及所述期望線寬尺寸，設置所述加熱裝置向所述晶圓的不同翹曲高度處對應提供的設定加熱溫度值，方法包括：量測所述晶圓的不同翹曲高度處對應的翹曲高度值；在所述期望線寬尺寸對應的曲線所在的坐標系中，確定不同的翹曲高度值對應的加熱溫度，所述加熱溫度作為所述加熱裝置向所述晶圓的不同翹曲高度處對應提供的設定加熱溫度值。

6.如權利要求5所述的加熱方法，其特征在于，所述量測所述晶圓的不同翹曲高度處對應的翹曲高度值，方法包括：采用相位式激光測試法，獲取所述晶圓的不同翹曲高度處對應的翹曲高度值。

7.如權利要求1所述的加熱方法，其特征在于，所述預先獲取距離溫度關系式的步驟包括：

獲取第一對應關系式，所述第一對應關系式表征，在所述加熱盤的不同加熱溫度下，所述實際線寬尺寸與所述晶圓的翹曲高度值之間的關系；

獲取第二對應關系式，所述第二對應關系式表征，在所述晶圓不同翹曲高度處具有的不同翹曲高度值下，所述實際線寬尺寸與所述加熱盤的加熱溫度之間的關系；

基于所述第一對應關系式與所述第二對應關系式，獲取所述距離溫度關系式。

8.如權利要求7所述的加熱方法，其特征在于，所述第一對應關系式以在同一第一坐標系中的多條曲線表示，其中，每一條曲線對應為在所述加熱盤的一個加熱溫度下，所述實際線寬尺寸與所述晶圓的翹曲高度值之間的曲線；所述第二對應關系式以在同一第二坐標系中的多條曲線表示，其中，每一條曲線對應為所述晶圓的一個翹曲高度值下，所述實際線寬尺寸與所述加熱盤的加熱溫度之間的曲線。

9.如權利要求8所述的加熱方法，其特征在于，所述第一對應關系式中，所述第一坐標系中的橫坐標表征所述晶圓的翹曲高度值，所述第一坐標系中的縱坐標表征所述光刻圖形的實際線寬尺寸；所述第二對應關系式中，所述第二坐標系中的橫坐標表征所述加熱盤的加熱溫度，所述第二坐標系中的縱坐標表征所述光刻圖形的實際線寬尺寸。