[發(fā)明專利]適用于微波毫米波無線能量傳輸應(yīng)用的開關(guān)晶體管整流器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910267307.0 | 申請日: | 2019-04-03 |
| 公開(公告)號: | CN110112937B | 公開(公告)日: | 2020-11-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 趙滌燹;賀平洋 | 申請(專利權(quán))人: | 東南大學(xué) |
| 主分類號: | H02M7/217 | 分類號: | H02M7/217;H02J50/20 |
| 代理公司: | 南京眾聯(lián)專利代理有限公司 32206 | 代理人: | 張偉 |
| 地址: | 210096 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 適用于 微波 毫米波 無線 能量 傳輸 應(yīng)用 開關(guān) 晶體管 整流器 | ||
1.適用于微波毫米波無線能量傳輸應(yīng)用的開關(guān)晶體管整流器,其特征在于:所述的開關(guān)晶體管整流器包括整流電路(106)、漏極匹配電路(108)、移相器電路(102)、柵極匹配電路(104)和輸出濾波電路(110),所述的整流電路(106)由共源極接法的第一晶體管(124)組成,所述的第一晶體管(124)源極耦合接地,第一晶體管(124)柵極接?xùn)艠O輸入電壓VG,第一晶體管(124)漏極接漏極輸入電壓VD;所述的漏極匹配電路(108)連接在第一晶體管(124)漏極輸入電壓VD和接收天線(134)之間;所述的移相器電路(102)一端連接接收天線(134),另一端輸出柵極移相電壓VGP;所述的柵極匹配電路(104)連接在柵極移相電壓VGP和柵極輸入電壓VG之間;所述的輸出濾波電路(110)的一端連接在第一晶體管(124)漏極輸入電壓VD,另一端接在直流負(fù)載(136)上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適用于微波毫米波無線能量傳輸應(yīng)用的開關(guān)晶體管整流器,其特征在于:所述的漏極匹配電路(108)包括漏極電容(128)和漏極電感(126),所述的漏極電容(128)跨接在第一晶體管(124)的漏極和接收天線(134)之間,所述的漏極電感(126)一端接在接收天線(134)上,另一端接地。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適用于微波毫米波無線能量傳輸應(yīng)用的開關(guān)晶體管整流器,其特征在于:所述的移相器電路(102)包括串聯(lián)移相電容(118)、第一串聯(lián)移相電感(114)、第二串聯(lián)移相電感(116)和并聯(lián)移相電容(112),所述串聯(lián)移相電容(118)連接在接收天線(134)和柵極移相電壓VGP之間,所述的第一串聯(lián)移相電感(114)和第二串聯(lián)移相電感(116)串聯(lián)之后和串聯(lián)移相電容(118)并聯(lián),所述的并聯(lián)移相電容(112)一端接在第一串聯(lián)移相電感(114)和第二串聯(lián)移相電感(116)之間,另一端接地。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適用于微波毫米波無線能量傳輸應(yīng)用的開關(guān)晶體管整流器,其特征在于:所述的柵極匹配電路(104)包括柵極電容(122)和柵極電感(120),所述的柵極電容(122)接在柵極移相電壓VGP和柵極輸入電壓VG之間,所述的柵極電感(120)一端接?xùn)艠O輸入電壓VG,另一端接地。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適用于微波毫米波無線能量傳輸應(yīng)用的開關(guān)晶體管整流器,其特征在于:所述的輸出濾波電路(110)由扼流電感(132)和旁路電容(130)組成,所述的扼流電感(132)接在第一晶體管(124)漏極輸入電壓VD和直流負(fù)載(136)之間,所述的旁路電容(130)一端接直流負(fù)載(136),另一端接地。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適用于微波毫米波無線能量傳輸應(yīng)用的開關(guān)晶體管整流器,其特征在于:所述的直流負(fù)載(136)為直流電阻,所述的直流電阻接在輸出直流電壓VDC和地之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適用于微波毫米波無線能量傳輸應(yīng)用的開關(guān)晶體管整流器,其特征在于:所述的接收天線(134)與漏極匹配電路(108)和移相器電路(102)相連,輸入射頻信號VRFIN。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適用于微波毫米波無線能量傳輸應(yīng)用的開關(guān)晶體管整流器,其特征在于:所述的第一晶體管(124)為N型晶體管或P型晶體管。
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