[發(fā)明專利]一種在金屬襯底上制備BaZrS3 有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910264296.0 | 申請日: | 2019-04-03 |
| 公開(公告)號: | CN110010724B | 公開(公告)日: | 2020-10-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 楊森;周超;于忠海;張垠;姚康康;李葉蓓;孔春才 | 申請(專利權(quán))人: | 西安交通大學(xué) |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京中濟(jì)緯天專利代理有限公司 11429 | 代理人: | 覃婧嬋 |
| 地址: | 710049 *** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 金屬 襯底 制備 bazrs base sub | ||
1.一種在金屬襯底上制備BaZrS3太陽能電池薄膜材料的方法,所述方法包括步驟:
S100、稱取BaZrO3粉末并硫化處理得到靶材A;
S200、將藍(lán)寶石放入磁控濺射系統(tǒng)中鍍鎢得到襯底B;
S300、對靶材A和襯底B進(jìn)行鍍膜得到樣品C;
S400、將樣品C進(jìn)行熱處理得到最終產(chǎn)物BaZrS3太陽能電池薄膜材料;
其中步驟S100包括:
S101、將稱量好的BaZrO3粉末盛入坩堝放入化學(xué)氣相沉積爐,向爐內(nèi)通氬氣4-8h,直到排空爐內(nèi)氧氣;
S102、化學(xué)氣相沉積爐內(nèi)氧氣排空后開始以5℃/min的速率升溫至800-850℃后,將氬氣通道轉(zhuǎn)移至裝有CS2溶液的冷阱中,同時(shí)繼續(xù)以5℃/min的速率對化學(xué)氣相沉積爐加熱升溫至1000-1100℃后保溫2-10h。
2.如權(quán)利要求1所述的方法,其中,步驟S100中所述BaZrO3質(zhì)量為5-10g,所述硫化處理在化學(xué)氣相沉積爐中進(jìn)行。
3.如權(quán)利要求1所述的方法,其中,步驟S100還包括步驟:
S103、步驟102保溫時(shí)間到后設(shè)置以5℃/min的速率降溫至800-850℃時(shí)將氬氣通道轉(zhuǎn)移至化學(xué)氣相沉積爐,直到爐溫降至室溫,得到樣品A。
4.如權(quán)利要求3所述的方法,其中,步驟S100還包括步驟:
S104、取出樣品A后用有機(jī)溶劑清洗3-5次后干燥,球磨,造粒,然后壓片得到靶材A。
5.如權(quán)利要求4所述的方法,其中,所述有機(jī)溶劑是丙酮、酒精或者乙酸乙酯中的一種。
6.如權(quán)利要求1所述的方法,其中,步驟S200包括取鎢靶和藍(lán)寶石放入磁控濺射系統(tǒng),抽真空至10-5Pa,設(shè)定功率為30W,打開氬氣通道通入氬氣,當(dāng)系統(tǒng)內(nèi)氣壓達(dá)到20Pa時(shí),開始濺射,持續(xù)時(shí)間15-20mins,得到襯底B。
7.如權(quán)利要求1所述的方法,其中,步驟S300包括將靶材A和襯底B放入脈沖激光沉積設(shè)備的濺射室中,抽真空至10-5Pa,使靶材A和襯底B保持間距6-8cm,設(shè)置基底溫度700-800℃,打開激光沉積設(shè)備濺射1-2h,得到樣品C。
8.如權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述熱處理在化學(xué)氣相沉積爐中進(jìn)行。
9.如權(quán)利要求1所述的方法,其中,步驟S400包括取出樣品C,將其放入化學(xué)氣相沉積爐內(nèi)通氬氣4-6h后以5℃/min的速率升溫至800-850℃,將氬氣通道轉(zhuǎn)移至裝有CS2溶液的冷阱,同時(shí)繼續(xù)以5℃/min的速率對化學(xué)氣相沉積爐加熱到1000-1100℃保溫2-5h后得到最終產(chǎn)物BaZrS3太陽能電池薄膜材料。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





