[發明專利]一種高分子聚合物薄膜晶體管及其制備方法

有效

• 申請號: 201910264205.3
• 申請日: 2019-04-03
• 公開（公告）號: CN110112293B
• 公開（公告）日: 2020-10-16
• 發明（設計）人: 李文武;黃凡銘;李夢姣;胡志高;褚君浩
• 申請（專利權）人: 華東師范大學
• 主分類號: H01L51/40
• 分類號: H01L51/40;H01L51/05
• 代理公司: 上海藍迪專利商標事務所(普通合伙) 31215
• 代理人: 徐筱梅;張翔

1.一種高分子聚合物薄膜晶體管的制備方法，該高分子聚合物薄晶體管為頂柵底接觸結構，晶體管由上至下依次是柵極、介電層、半導體有源層，源漏電極及襯底，其特征在于，在高分子聚合物薄膜晶體管源漏電極制作完成后，通過掩膜版對準，在源漏電極上表面形成一層銅過渡層，然后對銅過渡層進行紫外臭氧清洗，使銅過渡層充分被氧化成氧化銅中間層，通過氧化銅中間層提高源漏電極的表面功函數，使半導體有源層與源漏電極間肖特基勢壘降低，接觸電阻減小，提高高分子聚合物薄膜晶體管的遷移率，降低高分子聚合物薄膜晶體管的接觸電阻，亞閾值擺幅以及閾值電壓的絕對值；其中：

所述由上至下依次是柵極、介電層、半導體有源層，源漏電極及襯底，具體包括：

a）采用真空熱蒸鍍法或磁控濺射法在襯底上形成源漏電極；所述襯底為絕緣材料；

b）采用真空熱蒸鍍法或磁控濺射法在底電極即源漏電極上表面沉積銅過渡層；所述銅過渡層厚度為2～6納米；

c）采用紫外臭氧清洗進行氧化，時間為20～120分鐘，其功率為100～200 W，處理時環境溫度為30～80 ℃，將銅過渡層氧化成氧化銅中間層；所述氧化銅中間層厚度為3～8納米；

d）采用溶膠凝膠法將高分子聚合物半導體溶液置于氧化銅中間層上表面形成半導體有源層；所述溶膠凝膠法為溶液旋涂法；

e）采用溶膠凝膠法將介電材料溶液置于半導體有源層上表面形成介電層；所述溶膠凝膠法為溶液旋涂法；

f）采用真空熱蒸鍍法或磁控濺射法在介電層上表面形成柵電極；所述柵電極材料為金、銀、銅或鋁；

所述絕緣材料為玻璃、二氧化硅或聚對苯二甲酸類塑料。

2.一種權利要求1所述方法制得的高分子聚合物薄膜晶體管。