[發(fā)明專利]LED器件及顯示裝置

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910263990.0
• 申請(qǐng)日: 2019-04-03
• 公開（公告）號(hào): CN110034226A
• 公開（公告）日: 2019-07-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 樊勇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/60
• 分類號(hào): H01L33/60;H01L33/50;H01L25/13
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

本發(fā)明實(shí)施例公開了一種LED器件及顯示裝置，該LED器件包括：第一基板，第一基板上設(shè)置有第一U型凹槽；第二基板，與第一基板相對(duì)設(shè)置，第二基板上設(shè)置有第二U型凹槽，第二U型凹槽相對(duì)第一U型凹槽設(shè)置；第一發(fā)光芯片，設(shè)置于第一U型凹槽內(nèi)；第一金屬反射層，設(shè)置在第一U型凹槽側(cè)壁和第二U型凹槽內(nèi)壁；第一量子點(diǎn)層，設(shè)置于第二U型凹槽內(nèi)；第一發(fā)光芯片對(duì)應(yīng)發(fā)光顏色與第一量子點(diǎn)層的顏色不同。本發(fā)明實(shí)施例中，通過在LED器件的發(fā)光凹槽中設(shè)置金屬反射層和量子點(diǎn)層，增加了光反射路徑，有效提高了所需光的能量利用率和亮度，降低功耗，并且降低材料的使用，減少成本，同時(shí)也達(dá)到了對(duì)水氧的阻隔作用，保證了量子點(diǎn)應(yīng)用的可靠性。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種LED器件及顯示裝置。

背景技術(shù)

在微型發(fā)光二極管(micro Light emitting diode，micro LED)顯示器件的全彩化方案中，主要分為采用紅綠藍(lán)三色micro LED的全彩化方案和采用了藍(lán)光+光致轉(zhuǎn)換層的全彩化方案。由于紅綠藍(lán)三色芯片具有不同的壽命，且由于三色芯片在不同電流密度下波長(zhǎng)變化不同，容易造成Micro LED顯示器的色度不均和亮度不同以及長(zhǎng)期使用造成色亮度變異；此外采用RGB三色microLED芯片中，紅光和綠光的發(fā)光效率遠(yuǎn)低于藍(lán)光，且由于采用三色芯片，規(guī)模化效益不如采用一種藍(lán)光芯片，成本較高。

但采用藍(lán)光芯片+光轉(zhuǎn)換層的方案中，通常光轉(zhuǎn)換層采用需要吸收率高，發(fā)光頻譜窄，發(fā)光效率高的量子點(diǎn)材料。但量子點(diǎn)材料怕遇水氧和強(qiáng)光，需要對(duì)量子點(diǎn)進(jìn)行阻水阻氧封裝；此外，陣列化的量子點(diǎn)層由于工藝條件，其厚度一般<10um，這就要求量子點(diǎn)濃度比較很高，但量子點(diǎn)濃度增加，由于濃度淬滅效應(yīng)，熒光轉(zhuǎn)化效率降低。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例提供一種LED器件及顯示裝置，提高了所需光的能量利用率和亮度，降低功耗；并且降低了材料的使用，減少成本，同時(shí)也達(dá)到了對(duì)水氧的阻隔作用，保證了量子點(diǎn)應(yīng)用的可靠性。

為解決上述問題，第一方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环NLED器件，所述LED器件包括：第一基板，所述第一基板上設(shè)置有第一U型凹槽；第二基板，與所述第一基板相對(duì)設(shè)置，所述第二基板上設(shè)置有第二U型凹槽，所述第二U型凹槽相對(duì)第一U型凹槽設(shè)置；第一發(fā)光芯片，設(shè)置于所述第一U型凹槽內(nèi)；第一金屬反射層，設(shè)置在所述第一U型凹槽側(cè)壁和第二U型凹槽內(nèi)壁；第一量子點(diǎn)層，設(shè)置于所述第二U型凹槽內(nèi)；所述第一發(fā)光芯片對(duì)應(yīng)發(fā)光顏色與所述第一量子點(diǎn)層的顏色不同。

進(jìn)一步的，所述第一發(fā)光芯片為藍(lán)光LED芯片，所述第一量子點(diǎn)層是紅色量子點(diǎn)層或綠色量子點(diǎn)層。

進(jìn)一步的，所述第一基板上還設(shè)置有第三U型凹槽，所述第二基板上還設(shè)置有第四U型凹槽，所述第三U型凹槽相對(duì)第四U型凹槽設(shè)置；

所述LED器件還包括：

第二發(fā)光芯片，設(shè)置于所述第三U型凹槽內(nèi)。

進(jìn)一步的，所述第二發(fā)光芯片為紅光LED芯片或綠光LED芯片。

進(jìn)一步的，所述LED器件還包括：

第二金屬反射層，設(shè)置在所述第三U型凹槽側(cè)壁和第四U型凹槽內(nèi)壁；

第二量子點(diǎn)層，設(shè)置于所述第四U型凹槽內(nèi)。

進(jìn)一步的，所述第二發(fā)光芯片為藍(lán)光LED芯片，所述第二發(fā)光芯片對(duì)應(yīng)發(fā)光顏色與所述第二量子點(diǎn)層的顏色不同。

進(jìn)一步的，所述LED器件還包括：

第三金屬反射層，設(shè)置在所述第三U型凹槽側(cè)壁和第四U型凹槽內(nèi)壁。

進(jìn)一步的，所述第一基板為TFT基板。

進(jìn)一步的，所述第一量子點(diǎn)層是通過噴墨打印的方式將量子點(diǎn)墨水置于所述第二凹槽中形成的。