[發(fā)明專利]電化學(xué)電鍍方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910263027.2
• 申請(qǐng)日: 2015-03-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110233099B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-05-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 約翰·W·萊姆;伊斯梅爾·埃邁什;羅伊·沙維夫
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 應(yīng)用材料公司
• 主分類號(hào): H01L21/288
• 分類號(hào): H01L21/288;H01L21/324;H01L21/768;H01L23/532;C23C18/16;C25D3/12;C25D5/10;C25D5/14;C25D5/50;C25D7/00;C25D7/12
• 代理公司: 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;趙靜

1.一種電化學(xué)方法，所述方法包含以下步驟：

把基板放入以與含鈷鹽的電化學(xué)電鍍?cè)〗佑|，所述基板具有薄的鈷種晶層，且所述電鍍?cè)〉膒H為大于4且多達(dá)9；

引導(dǎo)電流通過(guò)所述浴，以減少所述電鍍?cè)≈械拟掚x子，和沉積鈷的共形膜至所述鈷種晶層上；及

以200至450℃的溫度退火處理所述基板，其中所述鈷沉積至所述種晶層上的亞微米特征內(nèi)，且所述退火處理步驟促使所述共形膜填充所述特征而無(wú)接縫線缺陷；

其中所述電鍍?cè)](méi)有實(shí)質(zhì)上侵蝕或蝕刻所述種晶層。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，所述電鍍?cè)“拾彼帷?/p>

3.如權(quán)利要求1所述的方法，所述電鍍?cè)〉膒H為6.5至8.3。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，所述電流為1-50毫安/平方厘米的范圍。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述退火處理是在H₂/He、N₂/H₂、還原氣體、純氫、或氨的環(huán)境中進(jìn)行。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述電鍍?cè)〉膒H為7.5至8.5。

7.如權(quán)利要求3所述的方法，所述種晶層位于所述基板的阻擋層上。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，所述基板無(wú)阻擋層。

9.如權(quán)利要求7所述的方法，進(jìn)一步包含以下步驟：重復(fù)所述的步驟至少一次以提供多步驟多循環(huán)的電化學(xué)沉積和退火處理工藝。

10.如權(quán)利要求9所述的方法，進(jìn)一步包含以下步驟：經(jīng)歷至少兩次循環(huán)的電鍍、干燥及退火處理所述基板。