[發明專利]一種LTCC本振源模塊及其制備方法有效
| 申請號: | 201910262414.4 | 申請日: | 2019-04-02 |
| 公開(公告)號: | CN110087391B | 公開(公告)日: | 2022-05-06 |
| 發明(設計)人: | 石玉;武凱璇;尉旭波;徐瑞豪;鐘聲越;毛云山 | 申請(專利權)人: | 成都興仁科技有限公司 |
| 主分類號: | H05K1/16 | 分類號: | H05K1/16;H05K1/03;H05K1/09;H05K3/46 |
| 代理公司: | 北京眾合誠成知識產權代理有限公司 11246 | 代理人: | 苗艷榮 |
| 地址: | 610000 四川省*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 ltcc 模塊 及其 制備 方法 | ||
1.一種LTCC本振源模塊,其特征在于,LTCC本振源模塊分為表層,中間布線層,中間疊層,基板地層;所述表層布置為有源電路、無源環路濾波器、貼片電阻、貼片電容和電感,所述中間布線層利用帶狀傳輸線進行電源布線,所述表層與中間布線層之間設有基板地層,所述中間疊層布置為片式疊層接地大電容,各片式疊層接地大電容之間采用帶狀傳輸線連接,中間疊層的介質材料采用低頻高介電容材料,所述中間布線層與所述中間疊層之間設有基板地層,所述中間疊層下部還有基板地層;各層之間均采用基板隔離,所述基板上開設有金屬化通孔,基板四周還設有接地孔,所述基板地層與中間疊層內的片式疊層接地大電容均通過所述金屬化通孔與外部連接,基板地層四周均開設接地通孔;
所述中間疊層與其下側的基板地層之間的基板采用高介電容陶瓷材料制成,底層基板均采用低介微波陶瓷材料制成,所述中間布線層內電源線和信號線之間具有一定的距離,并用隔離孔隔開;多個垂直多層互聯結構的片式疊層接地大電容內埋在中間疊層內
其制備方法包括以下步驟:
步驟1.配料:選擇常規陶瓷材料配方配置出介電常數為30000的陶瓷材料,與介電常數為3.66的陶瓷材料;
步驟2.流延:將配制好的陶瓷材料制成流延漿料,流延出陶瓷生瓷膜片;
步驟3.打孔和填孔:將步驟2所得的陶瓷生瓷膜片進行打孔,再用銀漿料進行填孔,該孔用于不同層器件的連接;
步驟4.導體印刷:用填孔后的陶瓷膜片進行導體印刷,用部分未打孔的陶瓷膜片進行片式疊層接地大電容的地電極板和端電極板導體印刷;
步驟5.疊片:將印制好導體的陶瓷生膜片和未印制導體的陶瓷生膜片按照設計結構進行疊片;
步驟6.等靜壓:將完成疊片的模塊放在水中進行等靜壓,以便將不同層生瓷膜片緊緊地壓制成型;
步驟7.排膠和燒結:將步驟6所得的模塊放在燒結爐中進行排膠和燒結;
步驟8.表層元器件的連接,將表層所需的元件與步驟7制成的模塊進行連接,制得LTCC本振源模塊。
2.一種LTCC本振源模塊,其特征在于,LTCC本振源模塊分為表層,中間布線層,中間疊層,基板地層;所述表層為有源電路、無源環路濾波器、貼片電阻、貼片電容和電感,所述中間布線層對電源進行布線,所述表層與中間布線層之間設有基板地層,表層與中間布線層及表層與中間布線層之間的基板地層所使用的介質材料為高頻低介電材料;所述中間疊層內布置片式疊層接地大電容,各片式疊層接地大電容之間的連接均采用帶狀傳輸線連接,中間疊層的介質材料采用低頻高介電容材料;所述中間布線層與所述中間疊層之間設有基板地層,所述中間疊層下部還有基板地層;各層之間均采用基板隔離,所述基板上開設有金屬化通孔,基板四周還有接地孔,基板地層與中間疊層內的片式疊層接地大電容均通過所述金屬化通孔與外部連接,基板地層四周均開設接地通孔;
所述中間疊層與其下側的基板地層之間的基板采用高介電容陶瓷材料制成,底層基板均采用低介微波陶瓷材料制成,所述中間布線層內電源線和信號線之間具有一定的距離,并用隔離孔隔開;多個垂直多層互聯結構的片式疊層接地大電容內埋在中間疊層內
其制備方法包括以下步驟:
步驟1.配料:選擇常規陶瓷材料配方配置出介電常數為30000的陶瓷材料,與介電常數為3.66的陶瓷材料;
步驟2.流延:將配制好的陶瓷材料制成流延漿料,流延出陶瓷生瓷膜片;
步驟3.打孔和填孔:將步驟2所得的陶瓷生瓷膜片進行打孔,再用銀漿料進行填孔,該孔用于不同層器件的連接;
步驟4.導體印刷:用填孔后的陶瓷膜片進行導體印刷,用部分未打孔的陶瓷膜片進行片式疊層接地大電容的地電極板和端電極板導體印刷;
步驟5.疊片:將印制好導體的陶瓷生膜片和未印制導體的陶瓷生膜片按照設計結構進行疊片;
步驟6.等靜壓:將完成疊片的模塊放在水中進行等靜壓,以便將不同層生瓷膜片緊緊地壓制成型;
步驟7.排膠和燒結:將步驟6所得的模塊放在燒結爐中進行排膠和燒結;
步驟8.表層元器件的連接,將表層所需的元件與步驟7制成的模塊進行連接,制得LTCC本振源模塊。
3.根據權利要求1或2所述的一種LTCC本振源模塊,其特征在于,所述中間疊層內布有無源器件,即垂直多層互聯結構的片式大電容,層間距為20μm,并根據容值大小選擇電容的層數。
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