[發明專利]衰減器系統

有效

• 申請號: 201910261745.6
• 申請日: 2019-04-02
• 公開（公告）號: CN110350881B
• 公開（公告）日: 2023-05-26
• 發明（設計）人: 陳奕宏;塔梅爾穆罕默德阿里;艾哈邁德·奧斯曼·穆罕默德·穆罕默德·艾沙達;馬贊·索利曼·舒基·索利曼
• 申請（專利權）人: 聯發科技(新加坡)私人有限公司
• 主分類號: H03G1/00
• 分類號: H03G1/00
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 李慶波

1.一種衰減器系統，其特征在于，包括：

可變阻抗，配置為從多個阻抗狀態中提供阻抗，所述可變阻抗包括：

第一端；

第二端；

第一晶體管，包括耦合在所述第一端和所述第二端之間的第一溝道端子和第二溝道端子；和

第二晶體管，包括耦合在所述第一端和所述第二端之間的第一溝道端子和第二溝道端子；和

控制電路，配置為至少部分地通過向所述第一晶體管的控制端子提供第一輸出電壓以使所述第一晶體管導通來控制所述可變阻抗為所述多個阻抗狀態的第一阻抗狀態；

其中所述第一晶體管配置為在導通時以欠驅動模式操作；

所述衰減器系統還包括具有參考阻抗，放大器和參考晶體管的參考電路，其中：

所述放大器耦合到所述參考晶體管和所述參考阻抗，并配置為設置和維持所述參考晶體管的偏置，使得所述參考晶體管的溝道阻抗在所述參考阻抗的±5％之內變化，并且

所述參考電路耦合到所述控制電路并且配置為基于所述參考晶體管的偏置來設置所述第一輸出電壓。

2.據權利要求1所述的衰減器系統，其特征在于，當所述第一晶體管導通時，所述第一輸出電壓比所述第一溝道端子和所述第二溝道端子中任意一個的電壓高至少所述第一晶體管的閾值電壓電平；或者

當所述第一晶體管導通時，所述第一輸出電壓比所述第一溝道端子和所述第二溝道端子中任意一個的電壓低至少所述第一晶體管的閾值電壓電平。

3.根據權利要求2所述的衰減器系統，其特征在于，在所述欠驅動模式中，所述第一晶體管的溝道阻抗由所述第一輸出電壓設定，所述溝道阻抗相較于所述第一晶體管的溝道電壓的變化小于5％。

4.根據權利要求3所述的衰減器系統，其特征在于，所述第一晶體管是場效應晶體管，其中所述欠驅動模式是三極管模式。

5.根據權利要求4所述的衰減器系統，其特征在于，所述可變阻抗包括多個晶體管，所述多個晶體管包括所述第一晶體管和所述第二晶體管，其中所述多個晶體管的尺寸被設定使得當所述多個晶體管中的至少一些晶體管導通時導通的所述至少一些晶體管的溝道阻抗構成所述可變阻抗的總阻抗的至少95％。

6.根據權利要求5所述的衰減器系統，其特征在于，所述控制電路配置為至少部分地通過向所述第一晶體管的控制端子提供第二輸出電壓以使所述第一晶體管關斷來控制所述可變阻抗為所述多個阻抗狀態的第二阻抗狀態。

7.一種衰減器系統，其特征在于，包括：

可變阻抗，配置為從多個阻抗狀態中提供阻抗，所述可變阻抗包括：

第一端；

第二端；

第一開關阻抗，耦合在所述第一端和所述第二端之間，所述第一開關阻抗包括第一晶體管；和

第二開關阻抗，耦合在所述第一端和所述第二端之間，且與所述第一開關阻抗并聯，所述第二開關阻抗包括第二晶體管；和

控制電路，配置為至少部分地通過向所述第一晶體管的控制端子提供第一輸出電壓以使所述第一晶體管導通來控制所述可變阻抗為所述多個阻抗狀態的第一阻抗狀態；

其中，所述第一晶體管配置為當所述第一晶體管導通時，所述第一晶體管具有的溝道阻抗為所述第一開關阻抗的總阻抗的至少10％；

所述衰減器系統還包括具有參考阻抗，放大器和參考晶體管的參考電路，其中：

所述放大器耦合到所述參考晶體管和所述參考阻抗，并配置為設置和維持所述參考晶體管的偏置，使得所述參考晶體管的溝道阻抗在所述參考阻抗的±5％之內變化，并且

所述參考電路耦合到所述控制電路并且配置為基于所述參考晶體管的偏置來設置所述第一輸出電壓。

8.根據權利要求7所述的衰減器系統，其特征在于，所述控制電路還配置為將所述第一輸出電壓提供給所述第一晶體管的控制端子，使得所述第一晶體管以三極管模式操作。