[發明專利]一種微波多層電路中金絲鍵合寬帶匹配結構及其設計方法

有效

• 申請號: 201910261574.7
• 申請日: 2019-04-02
• 公開（公告）號: CN109935949B
• 公開（公告）日: 2021-06-01
• 發明（設計）人: 于鵬飛;張孔;王光池;陳興國;季飛
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第三十八研究所
• 主分類號: H01P5/00
• 分類號: H01P5/00;H01P11/00
• 代理公司: 合肥市浩智運專利代理事務所(普通合伙) 34124
• 代理人: 丁瑞瑞

1.一種微波多層電路中金絲鍵合寬帶匹配結構，其特征在于，應用于多層電路板，所述多層電路板包括若干層介質板，其中，

在當前層介質板的金絲鍵合點的一側端點設置第一匹配結構，且在當前層介質板的下方的介質板中，位于所述金絲鍵合點一側端點的下方的位置設置第二匹配結構，在當前層介質板的金絲鍵合點的另一側端點不設置匹配結構；

所述當前層介質板設置為多層電路板中的表層介質板，所述在當前層介質板的下方的介質板設置為多層電路板中的中間層介質板，所述第一匹配結構和第二匹配結構通過金屬填充的過孔連接。

2.根據權利要求1所述的一種微波多層電路中金絲鍵合寬帶匹配結構，其特征在于，所述當前層介質板中設置第一微帶線和第二微帶線，第一微帶線和第二微帶線之間有間隔；

第一匹配結構設置在第一微帶線朝向第二微帶線的一端，且所述第一匹配結構通過金絲與第二微帶線連接。

3.根據權利要求1所述的一種微波多層電路中金絲鍵合寬帶匹配結構，其特征在于，所述第二匹配結構位于所述第一匹配結構的正下方。

4.根據權利要求2所述的一種微波多層電路中金絲鍵合寬帶匹配結構，其特征在于，所述第一匹配結構包括一段微帶高阻線、第一金屬焊盤，所述微帶高阻線的一端與所述第一微帶線連接，所述微帶高阻線的另一端與所述第一金屬焊盤的一端連接，所述第一金屬焊盤與所述第二微帶線之間有間隔，所述第一金屬焊盤和第二微帶線之間通過金絲壓焊連接。

5.根據權利要求4所述的一種微波多層電路中金絲鍵合寬帶匹配結構，其特征在于，所述第二匹配結構為第二金屬焊盤，第二金屬焊盤位于第一金屬焊盤的正下方，第二金屬焊盤與第一金屬焊盤通過金屬填充的過孔連通。

6.根據權利要求5所述的一種微波多層電路中金絲鍵合寬帶匹配結構，其特征在于，所述過孔為垂直過孔。

7.根據權利要求1所述的一種微波多層電路中金絲鍵合寬帶匹配結構，其特征在于，所述多層電路板包括底層介質板，所述底層介質板中設置微帶地層。

8.根據權利要求1所述的一種微波多層電路中金絲鍵合寬帶匹配結構，其特征在于，所述多層電路板的若干層介質板為Ferro A6低溫共燒陶瓷介質板，介電常數為5.9，損耗正切為0.002，每層介質板厚度是0.096mm。

9.根據權利要求2所述的一種微波多層電路中金絲鍵合寬帶匹配結構，其特征在于，所述第一微帶線和第二微帶線均為50Ω。

10.根據權利要求書1-8任一所述的微波多層電路中金絲鍵合寬帶匹配結構的設計方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一：選取合適的連接過孔的孔徑；

步驟二：在當前層介質板上的第一微帶線上金絲鍵合點處設計第一匹配結構中的第一金屬焊盤；

步驟三：在當前層介質板的下方的介質板中設計第二金屬焊盤，其中，所述第二金屬焊盤設置在所述金絲鍵合點處的正下方的位置；

步驟四：在表層的第一微帶線與第一金屬焊盤之間設計一段高阻線，第一匹配結構包括：與第一微帶線連接的高阻線以及與高阻線連接的第一金屬焊盤。

11.根據權利要求書9所述的微波多層電路中金絲鍵合寬帶匹配結構的設計方法，其特征在于，在當前層介質板的下方的介質板下設計若干層介質板。