[發明專利]一種金屬柱制作方法及半導體器件

在審

• 申請號: 201910259350.2
• 申請日: 2019-04-02
• 公開（公告）號: CN110120351A
• 公開（公告）日: 2019-08-13
• 發明（設計）人: 黃光偉;李立中;林偉銘;馬躍輝;吳靖;莊永淳
• 申請（專利權）人: 福建省福聯集成電路有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48
• 代理公司: 福州市景弘專利代理事務所(普通合伙) 35219
• 代理人: 徐劍兵;林祥翔

1.一種金屬柱制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

在具有連接金屬的半導體器件表面制作第一層光阻，所述連接金屬用于與金屬柱連接；

在第一層光阻上面制作耐蝕刻緩沖層；

在耐蝕刻緩沖層上面制作第二層光阻；

在第二層光阻上曝光顯影，去除待制作金屬柱位置的第二層光阻；

去除待制作金屬柱位置的耐蝕刻緩沖層；

采用非等向性蝕刻對待制作金屬柱位置進行蝕刻，去除待制作金屬柱位置的第一層光阻，露出連接金屬；

在連接金屬和第一層光阻內鍍上金屬，形成與連接金屬連接的金屬柱。

2.根據權利要求1所述的一種金屬柱制作方法，其特征在于，在步驟去除待制作金屬柱位置的耐蝕刻緩沖層后，還包括步驟：

去除第二層光阻。

3.根據權利要求1所述的一種金屬柱制作方法，其特征在于，所述耐蝕刻緩沖層以蒸鍍、濺鍍或電鍍的方式形成。

4.根據權利要求1所述的一種金屬柱制作方法，其特征在于，所述金屬柱通過電鍍或蒸鍍的方式形成。

5.根據權利要求1所述的一種金屬柱制作方法，其特征在于，還包括步驟：在金屬柱上形成焊料。

6.根據權利要求5所述的一種金屬柱制作方法，其特征在于，還包括對焊料進行回流。

7.根據權利要求1到6所述的一種金屬柱制作方法，其特征在于，還包括步驟：去除耐蝕刻緩沖層和第一層光阻。

8.根據權利要求1到6任意一項所述的一種金屬柱制作方法，其特征在于：所述金屬柱為銅柱。

9.根據權利要求1到6任意一項所述的一種金屬柱制作方法，其特征在于：所述耐蝕刻緩沖層為TiW、TiW-Au或氮化物。

10.半導體器件，其特征在于：所述半導體器件為權利要求1到9任意一項所述方法制得。