[發明專利]霍山石斛林下種植方法

在審

• 申請號: 201910259160.0
• 申請日: 2019-04-02
• 公開（公告）號: CN110024654A
• 公開（公告）日: 2019-07-19
• 發明（設計）人: 戴軍;張軍;王成;畢衛亭;姚厚軍
• 申請（專利權）人: 霍山縣天下澤雨生物科技發展有限公司
• 主分類號: A01G22/63
• 分類號: A01G22/63;A01G24/10;A01G24/15;A01G24/28
• 代理公司: 北京科家知識產權代理事務所(普通合伙) 11427
• 代理人: 陳娟

本發明公開了一種霍山石斛林下種植方法，其方法步驟如下：S1：種植林地的選擇：林地中的在霍山石斛生長期的平均溫度15?25℃，日均光照3000?5000Lux，年降水量1000?1500mm，空氣相對濕度80?85％；S2：種植支架的設計；S3：灌溉裝置的設計；S4：霍山石斛苗的準備：霍山石斛苗的準備：采用組培或分株的形式進行育苗；S5：霍山石斛苗的移栽。本發明在不改變原生態環境的情況下，提高了霍山石斛的品質，同時提高了霍山石斛的自然防蟲效果。

技術領域

本發明涉及霍山石斛種植技術領域，尤其涉及霍山石斛林下種植方法。

背景技術

目前，霍山石斛種植的方法有大棚種植和林下種植兩種。大棚種植通過搭建大棚設施、種植花床及架設遮陽網，為霍山石斛生長發育營造適宜的溫濕度及光照度等條件。大棚種植保水保肥能力強，管理簡單，但大棚種植前期設施搭建投資大，占地面積大，土地利用率不高，同時，大棚種植病蟲害傳播速度快，通風透氣條件差易造成爛根減產；林下種植技術要集中于附樹、附石等仿野生栽培，以及林下簡易床栽等方面。林下簡易床栽病害較多，管護難度大；附石栽培往往生長不良，發展空間有限；傳統附樹栽培對林木種類、林木枝干伸展角度等要求很高，難以推廣；近年研發的直立性樹干附樹栽培，需要耗費大量人工把種苗固定在樹干上，而且基質的附著穩定性也較差，種苗生長不易。因此，現有霍山石斛林下栽培技術局限性較大，推廣應用難，導致霍山石斛林下種植的面積小、產品少，發展不力。

發明內容

基于背景技術存在的技術問題，本發明提出了霍山石斛林下種植方法，在不改變原生態環境的情況下，提高了霍山石斛的品質，同時提高了霍山石斛的自然防蟲效果。

本發明提出的霍山石斛林下種植方法，方法步驟如下：

S1：種植林地的選擇：林地中的在霍山石斛生長期的平均溫度15-25℃，日均光照3000-5000Lux，年降水量1000-1500mm，空氣相對濕度80-85％。

S2：種植支架的設計：在樹木的背陰面設置有種植支架，所述種植支架為兩個支撐桿，且兩個所述支撐桿的一端固定在一起，支撐桿的另一端分開，且支撐桿的中部設有連接兩個支撐桿的放置板，支撐桿分開的一端固定在地面上，支撐桿固定在一起的一端呈傾斜固定在樹干上，且放置板呈水平設置，所述放置板用于固定霍山石斛種植容器；

S3：灌溉裝置的設計：在樹干上固定有噴淋頭，所述噴淋頭的噴淋面積可完全覆蓋位于所述樹干一側的霍山石斛，且所述噴淋頭距所述霍山石斛的頂部的距離為20-50cm；

S4：霍山石斛苗的準備：采用組培或分株的形式進行育苗；

S5：霍山石斛苗的移栽：將霍山石斛苗的根部先用由腐殖土、火山巖、草木灰、氮磷鉀復合肥和液體微生物菌劑制成的固體肥料進行包裹，然后再用青苔包裹，并將其種植在霍山石斛種植容器中。

優選地，所述S2中支撐桿與樹干之間的角度為20-50°。

優選地，所述S2中種植支架為兩個支撐桿，所述兩個支撐桿的一端固定在地面上，且所述支撐桿呈平行設置，所述支撐桿之間設有遮陰網，且所述遮陰網位于向陽方向，所述地面的巖石上挖設有用于種植霍山石斛的種植坑。

優選地，所述霍山石斛種植容器的上端設有凸邊，且所述放置板上設有與所述種植容器相配的通孔，種植容器放置在通孔內時，其凸邊剛好卡接在放置板上，方便種植容器的排水。

優選地，所述霍山石斛位于種植支架上端的部分通過條狀遮陰網固定在樹干上。

優選地，位于所述種植支架下端的地上種植有喜陰的中藥材，且位于所述種植支架下端的樹干上固定有害蟲誘殺裝置。

優選地，所述腐殖土、火山巖、草木灰和氮磷鉀復合肥按如下重量份配比：腐殖土10-15份、火山巖5-10份、草木灰1-5份、氮磷鉀復合肥0.1-0.2份、液體微生物菌劑0.1-0.5份。