[發明專利]利用模具改善智能功率半導體模塊產品翹曲的方法

在審

• 申請號: 201910258532.8
• 申請日: 2019-04-01
• 公開（公告）號: CN109849278A
• 公開（公告）日: 2019-06-07
• 發明（設計）人: 孫炎權;崔衛兵;蔣衛娟
• 申請（專利權）人: 孫炎權
• 主分類號: B29C45/26
• 分類號: B29C45/26;B29C45/14;H01L21/56
• 代理公司: 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103
• 代理人: 孫周強

1.利用模具改善智能功率半導體模塊產品翹曲的方法，其特征在于，包括以下步驟：將智能功率半導體模塊置入模具中，注塑封裝，完成智能功率半導體模塊產品翹曲的改善；所述模具包括注塑下模、注塑上模；所述注塑下模設有下凹槽；所述注塑上模設有上凹槽；所述下凹槽的底面設有朝上的球面結構；所述下凹槽與上凹槽組成注塑腔；所述上凹槽的底面設有朝上的球面結構，或者所述上凹槽的底面設有朝下的球面結構，或者所述上凹槽的底面為平面；所述下凹槽底面的球面結構表面設有槽結構；所述槽結構的底面為球面形；所述注塑上模設有頂針。

2.根據權利要求1所述利用模具改善智能功率半導體模塊產品翹曲的方法，其特征在于，所述智能功率半導體模塊包括引線框架、散熱基板、元件；上凹槽下表面的邊緣與下凹槽上表面的邊緣對齊；上凹槽側壁和/或下凹槽側壁為傾斜結構；注塑上模與注塑下模之間設有左空隙、右空隙；所述模具還包括頂針安裝板；所述頂針一端安裝在頂針安裝板上，一端穿出注塑上模；所述頂針安裝板位于注塑上模上方。

3.根據權利要求1所述利用模具改善智能功率半導體模塊產品翹曲的方法，其特征在于，當頂針為兩個或者兩個以上時，所有頂針距離注塑上模中心點的長度都一樣；所述頂針朝著下凹槽底面；所述頂針與頂針安裝板之間為彈簧連接。

4.根據權利要求1所述利用模具改善智能功率半導體模塊產品翹曲的方法，其特征在于，所述下凹槽中，球面結構的長度為下凹槽的底面長度，寬度為下凹槽的底面寬度，所述球面結構與垂直面交界處的弧線的二次函數方程為y=cx²+d，c為-1～0，d為0～100。

5.根據權利要求1所述利用模具改善智能功率半導體模塊產品翹曲的方法，其特征在于，所述球面形的長度為槽結構的長度、寬度為槽結構的寬度；下凹槽中，所述球面形的球心與球面結構的球心在同一豎直線上。

6.根據權利要求1所述利用模具改善智能功率半導體模塊產品翹曲的方法，其特征在于，所述球面形與垂直面交界處的弧線的二次函數方程為y=ax²+b，a為-1～0，b為0～100；所述槽結構的深度為0.02~0.03mm。

7.根據權利要求1所述利用模具改善智能功率半導體模塊產品翹曲的方法，其特征在于，將智能功率半導體模塊置入下凹槽中，智能功率半導體模塊的散熱基板與下凹槽底面的球面結構接觸，然后蓋上注塑上模，頂針與智能功率半導體模塊接觸；然后注入樹脂進行注塑；注塑完成后進行固化；固化完成后自然冷卻；最后開模完成智能功率半導體模塊產品翹曲的改善。

8.根據權利要求7所述利用模具改善智能功率半導體模塊產品翹曲的方法，其特征在于，注塑與固化的溫度為170～180℃，固化的時間為170～200秒。

9.根據權利要求1所述利用模具改善智能功率半導體模塊產品翹曲的方法，其特征在于，槽結構的長度小于散熱基板下底面外露銅層的長度，槽結構的寬度小于散熱基板下底面外露銅層的寬度。

10.模具在改善智能功率半導體模塊產品翹曲中的應用，其特征在于，所述模具包括注塑下模、注塑上模；所述注塑下模設有下凹槽；所述注塑上模設有上凹槽；所述下凹槽的底面設有朝上的球面結構；所述下凹槽與上凹槽組成注塑腔；所述上凹槽的底面設有朝上的球面結構，或者所述上凹槽的底面設有朝下的球面結構，或者所述上凹槽的底面為平面；所述下凹槽底面的球面結構表面設有槽結構；所述槽結構的底面為球面形；所述注塑上模設有頂針。