[發(fā)明專利]背接觸太陽電池組件、導電背板及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910257977.4 | 申請日: | 2019-04-01 |
| 公開(公告)號: | CN110061080A | 公開(公告)日: | 2019-07-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李華;劉繼宇 | 申請(專利權(quán))人: | 泰州隆基樂葉光伏科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/049 | 分類號: | H01L31/049;H01L31/0224;H01L31/18;H01L31/05 |
| 代理公司: | 北京志霖恒遠知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11435 | 代理人: | 趙松杰 |
| 地址: | 225300 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 導電背板 復(fù)合絕緣層 太陽電池片 粘接層 導電層 絕緣層 太陽電池組件 背接觸 背膜層 多塊 開口 電池組件 圖案化層 成組件 電連接 結(jié)合力 制造 組裝 貫穿 申請 | ||
1.一種導電背板,其特征在于,包括復(fù)合絕緣層、導電層和背膜層,所述導電層位于所述復(fù)合絕緣層與所述背膜層之間,所述導電層為圖案化層,所述復(fù)合絕緣層包括第一粘接層、子絕緣層和第二粘接層,所述子絕緣層位于所述第一粘接層與所述第二粘接層之間,所述第二粘接層位于所述子絕緣層與所述導電層之間,所述復(fù)合絕緣層設(shè)置有若干開口,所述開口沿著所述復(fù)合絕緣層的厚度方向貫穿所述復(fù)合絕緣層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導電背板,其特征在于,所述第一粘接層背向所述子絕緣層的一側(cè)設(shè)置有第一離型層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的導電背板,其特征在于,所述第一離型層的材料為硅油紙,所述第一離型層的克重為30-200克/平方米。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導電背板,其特征在于,所述導電層包括導電金屬箔,所述導電金屬箔的材料為銅或鋁,所述導電金屬箔的厚度為20-100微米。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導電背板,其特征在于,所述導電層的厚度為15-30微米。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導電背板,其特征在于,所述第一粘接層的材料與所述第二粘接層的材料各自獨立選自有機氟改性丙烯酸樹脂、環(huán)氧改性丙烯酸樹脂和納米材料改性丙烯酸樹脂中任意一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導電背板,其特征在于,所述子絕緣層的厚度為20-200微米,和/或,
所述復(fù)合絕緣層的厚度小于300微米。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導電背板,其特征在于,所述開口的形狀為圓形或方形,所述開口的數(shù)量為100-50000個。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導電背板,其特征在于,所述復(fù)合絕緣層包括多層所述子絕緣層,相鄰的所述子絕緣層之間設(shè)置有第三粘接層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的導電背板,其特征在于,所述第三粘接層的材料為有機氟改性丙烯酸樹脂、環(huán)氧改性丙烯酸樹脂和納米材料改性丙烯酸樹脂中任意一種。
11.一種背接觸太陽電池組件,其特征在于,包括多塊太陽電池片,多塊所述太陽電池片通過權(quán)利要求1-10任一項所述的導電背板進行電連接。
12.一種導電背板的制造方法,其特征在于,包括以下步驟:
在聚合物膠膜上形成若干開口,獲得復(fù)合絕緣層,其中,所述聚合物膠膜包括第一粘接層、子絕緣層和第二粘接層,所述子絕緣層位于所述第一粘接層與所述第二粘接層之間;
將依次層疊的所述復(fù)合絕緣層、導電層和背膜層進行輥壓,獲得導電背板。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的導電背板的制造方法,其特征在于,所述聚合物膜還包括第二離型層,所述第二離型層位于所述第二粘接層遠離所述子絕緣層的一側(cè);
在將依次層疊的所述復(fù)合絕緣層、導電層和背膜層進行輥壓,獲得導電背板之前,還包括,剝離所述第二離型層。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的導電背板的制造方法,其特征在于,所述第二離型層的材料為硅油紙,所述第二離型層的克重為30-200克/平方米。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于泰州隆基樂葉光伏科技有限公司,未經(jīng)泰州隆基樂葉光伏科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910257977.4/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





