[發(fā)明專利]蒙版框架、蒙版和蒙版框架的制備方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201910257416.4
• 申請日: 2019-04-01
• 公開（公告）號: CN110347013A
• 公開（公告）日: 2019-10-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 濱田裕一
• 申請（專利權(quán)）人: 信越化學(xué)工業(yè)株式會社
• 主分類號: G03F1/64
• 分類號: G03F1/64
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 張桂霞;李志強

本發(fā)明涉及蒙版框架及其制備方法、以及蒙版，所述蒙版框架具備：框架基材、在上述框架基材的表面形成的厚度為2.0~7.5μm的黑色的陽極氧化被膜、和在上述陽極氧化被膜上形成的透明的聚合物電沉積涂膜，所述蒙版具備：該蒙版框架、和在上述蒙版框架的一個端面設(shè)置的蒙版膜。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及在半導(dǎo)體器件或液晶顯示器的制備中用作光掩模除塵的平板印刷用蒙版(pellicle)、構(gòu)成該蒙版的蒙版框架(pellicle frame)、和蒙版框架的制備方法。

背景技術(shù)

在LSI、超LSI等半導(dǎo)體器件或液晶顯示器等的制備中，采用對半導(dǎo)體晶片或液晶用底版(原板)照射光來形成圖案的照相平板印刷技術(shù)。

在該照相平板印刷工序中，在光掩模(曝光底版)附著塵土的情況下，塵土?xí)展?，或扭曲光。其結(jié)果，有轉(zhuǎn)印的圖案變形、邊緣粗糙、基底污黑等尺寸、品質(zhì)、外觀受損的問題。因此，這些操作通常在潔凈室中進行，但即使在潔凈室內(nèi)也難以使光掩模完全保持清潔。因此，為了除塵，通常在光掩模的表面安裝良好地透過曝光的光的蒙版。由此，塵土不直接附著在光掩模的表面而附著在蒙版膜上。因此，若在曝光時事先使焦點與光掩模上的圖案重合，則蒙版膜上的塵土與轉(zhuǎn)印無關(guān)。

將通常的蒙版的結(jié)構(gòu)示于圖2中。該蒙版在蒙版框架102的上端面通過粘接劑103鋪設(shè)良好地透過曝光的光的蒙版膜101，在蒙版框架102的下端面形成用于將蒙版粘貼在光掩模105上的粘結(jié)劑層104。另外，在粘結(jié)劑層104的下端面，也可設(shè)置能夠剝離的用于保護粘結(jié)劑層104的隔膜(未圖示)。按照覆蓋在光掩模的表面形成的圖案區(qū)域106來設(shè)置這樣的蒙版。因此，通過蒙版將該圖案區(qū)域106與外部隔離，防止塵土附著在光掩模上。

近年來，LSI的設(shè)計規(guī)則逐漸精細化至亞四分之一微米。與之相伴的是，作為污染抑制對象的粒子(パーティクル)尺寸也進一步變小。另外，曝光光源的波長也短波長化，變得容易產(chǎn)生因曝光而引起模糊(ヘイズ，haze)的微小粒子。

其原因在于，由于光的能量因曝光的短波長化而變大，所以在曝光氣氛中存在的氣態(tài)物質(zhì)反應(yīng)，在掩?；迳仙煞磻?yīng)產(chǎn)物。例如，在用于蒙版框架的鋁合金表面的陽極氧化被膜中摻入硫酸、硝酸、有機酸等酸。它們在曝光環(huán)境下從框架表面的陽極氧化被膜中脫離，滯留在蒙版與掩模之間的空間。通過在該狀態(tài)下照射曝光時的短波長紫外線，產(chǎn)生硫酸化合物、例如硫酸銨等。

因此，由于現(xiàn)有的實施耐酸鋁處理(陽極氧化處理)的框架含有硫酸根離子，所以逐漸被敬而遠之。于是，例如在專利文獻1中，作為無硫酸根離子洗脫的框架，提出了實施聚合物涂覆(ポリマーコート)的蒙版。在該文獻中，作為聚合物涂覆，公開了使用通過黑色顏料著色的消光涂料的黑色消光電沉積涂料膜。

另外，專利文獻2公開了在由鋁合金構(gòu)成的框架基材表面形成純鋁被膜，進而在實施陽極氧化處理和黑色染色后，通過電沉積涂裝形成透明的丙烯酸樹脂被膜的蒙版框架。該純鋁被膜用于覆蓋被誤認(rèn)為蒙版框架表面異物的導(dǎo)致亮點(缺陷)的鋁合金表面的結(jié)晶物，提高蒙版的外觀品質(zhì)或可靠性。

現(xiàn)有技術(shù)文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2007-333910號公報；

專利文獻2：日本特開2014-206661號公報。

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明所要解決的課題

在照相平板印刷的曝光工序中，通常按照不對蒙版框架照射曝光的光來設(shè)定，但在圖案邊緣等的反射或折射光的一部分有可能作為雜射光照射至蒙版框架的內(nèi)側(cè)面。在這樣的雜射光照射至如專利文獻1所記載的實施聚合物涂覆的蒙版框架的內(nèi)側(cè)面的情況下，有聚合物涂覆層(ポリマーコート層)被蝕刻，且分散于其中的顏料微粒等脫落之虞。