[發(fā)明專利]一種噴涂制備鈣鈦礦薄膜的方法及鈣鈦礦薄膜

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910257272.2
• 申請(qǐng)日: 2019-04-01
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109980093B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-03-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐苗;李民;張偉;鄒建華;陶洪;王磊;彭俊彪
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華南理工大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L51/48
• 分類號(hào): H01L51/48;H01L51/46
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 鞏克棟

1.一種噴涂制備鈣鈦礦薄膜的方法，其特征在于，所述方法包括：

將含有鈣鈦礦的噴涂溶液噴涂至基板表面，其中至少采用兩種流量，以流量遞增的方式進(jìn)行噴涂，每次噴涂之間等待30～40s至薄膜干燥，得到鈣鈦礦薄膜前驅(qū)體，對(duì)所述鈣鈦礦薄膜前驅(qū)體進(jìn)行熱壓處理得到所述鈣鈦礦薄膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述噴涂的流量為0.6～1.3mL/min。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，不同流速之間的流速差小于等于0.2mL/min。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，同一流量下所述噴涂的次數(shù)大于等于1。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述噴涂過(guò)程中控制噴嘴與基板的距離為30～120mm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述噴涂過(guò)程中使用N₂作為載氣，氣體壓力為0.2～0.6psi。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述噴涂在襯底上進(jìn)行。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述襯底的溫度為90～115℃。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，溶液加工法使用的鈣鈦礦溶液的濃度為0.05～1M。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述鈣鈦礦溶液中的鈣鈦礦為A₂B'B”X₆，其中A包括Cs、CH₃NH₂或CH₃中的任意一種，B'包括Ag、Cu、Au、Na、In或Ti中的任意一種，B”包括Bi、Sb或金屬空位中的任意一種，X包括Cl、Br或I中的任意一種。

11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的方法，其特征在于，所述鈣鈦礦溶液中的溶劑包括主體溶劑和添加溶劑。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述主體溶劑包括DMSO、NMP或乙二醇甲醚中的任意一種或至少兩種的組合。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述添加溶劑包括IPA、甲醇、乙二醇、水、乙醇、乙酸乙酯、DMF或醋酸中的任意一種或至少兩種的組合。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述主體溶劑與所述添加溶劑的體積比為10:0.1～2。

15.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述熱壓的壓力為0.05～10MPa。

16.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述熱壓的溫度為30～200℃。

17.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述熱壓的時(shí)間為5～720min。

18.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述熱壓使用的熱壓裝置中與所述鈣鈦礦薄膜前驅(qū)體接觸的壓頭表面采用低表面能的薄膜修飾。

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，所述低表面能的薄膜包括CYTOP、SU8-2、PMMA或PVDF中的任意一種或至少兩種的組合。