[發(fā)明專利]一種具有抗總劑量輻照的VDMOS器件及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910256413.9
• 申請日: 2019-04-01
• 公開（公告）號: CN109950306B
• 公開（公告）日: 2020-12-11
• 發(fā)明（設計）人: 高群
• 申請（專利權）人: 浙江航芯源集成電路科技有限公司
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L29/51;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 北京格允知識產權代理有限公司 11609
• 代理人: 張沫

1.一種具有抗總劑量輻照的VDMOS器件的制作方法，其特征在于，具體包括如下步驟：

101)選取100晶向的Si基N型襯底，摻砷，外延生長N-外延層，對其清洗處理后進行熱氧化生長場氧；

102)通過光刻、刻蝕技術形成分壓環(huán)區(qū)、有源區(qū)；

103)在有源區(qū)按照光刻版上的圖形進行光刻，形成Pbody區(qū)的注入區(qū)，在注入區(qū)注入硼離子，高溫推進形成Pbody區(qū)；

104)在有源區(qū)通過熱氧化形成一層二氧化硅柵氧化層，在二氧化硅柵氧化層上淀積一層氮化硅介質，與底部的二氧化硅共同形成復合柵氧化層；

105)在復合柵氧化層上淀積一層多晶硅，摻雜后通過光刻、刻蝕技術形成多晶硅柵；

106)按照光刻版上的圖形進行光刻，形成P+注入區(qū)，在Pbody區(qū)注入硼離子，高溫推進形成P+區(qū)；

107)按照光刻版上的圖形進行光刻，形成N+注入區(qū)，在Pbody區(qū)注入砷離子形成N+源區(qū)；

108)在多晶硅柵電極上淀積二氧化硅介質層，刻蝕二氧化硅形成接觸孔，然后進行正面金屬化、鈍化、刻蝕PAD區(qū)、減薄，最后進行背面金屬化工藝，完成VDMOS器件制造；

其中，二氧化硅柵氧化層為器件有源區(qū)熱氧化生長形成，氧化生長溫度范圍為750℃～950℃，氧化生長所需氣體包括O₂、H₂、N₂；

制作的具有抗總劑量輻照VDMOS器件包括復合柵氧化層、多晶硅柵電極和N-外延層；復合柵氧化層包括二氧化硅層和氮化硅層，復合柵氧化層位于N-外延層和多晶硅柵極之間；

其中，N-外延層通過對100晶向的Si基N型襯底摻砷并外延生長得到，二氧化硅層設置在氮化硅層下面，N-外延層的上面，二氧化硅層和氮化硅層完全分層設置，二氧化硅層的厚度為5～40nm，氮化硅層的厚度為20～100nm。

2.根據權利要求1所述的一種具有抗總劑量輻照的VDMOS器件的制作方法，其特征在于，氮化硅層為化學氣相淀積形成，生長溫度范圍為200℃～400℃，所需氣體為SiH₄、NH₃、Ar₂。