[發明專利]三維存儲器件及其制備方法

在審

• 申請號: 201910252511.5
• 申請日: 2019-03-29
• 公開（公告）號: CN110112133A
• 公開（公告）日: 2019-08-09
• 發明（設計）人: 趙新梅;耿靜靜;王香凝;王攀;張慧;肖夢
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582;H01L21/768
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

1.一種三維存儲器件的制備方法，其特征在于，包括：

提供形成有堆疊結構的襯底，所述堆疊結構包括堆棧層和位于所述堆棧層上的掩膜層，所述堆疊結構具有貫穿所述堆棧層和所述掩膜層的溝道孔，所述溝道孔包括至少穿過所述掩膜層的表層的掩膜部分和穿過所述堆棧層的堆棧部分，沿所述掩膜部分指向所述堆棧部分的縱向方向上，所述掩膜部分的孔徑逐漸增大，所述掩膜部分的孔徑大于所述堆棧部分的孔徑，且所述掩膜部分的斜度小于所述堆棧部分的斜度；

在所述溝道孔內形成NAND串。

2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述掩膜部分的錐角大于10度。

3.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述掩膜層由氧化物制成。

4.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述“在所述溝道孔內形成NAND串”包括：在所述溝道孔內一次性填充絕緣材料，以在所述溝道孔內形成NAND串中芯柱的絕緣層。

5.如權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述絕緣層的頂表面高于所述掩膜層面向所述堆棧層的表面。

6.如權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述“在所述溝道孔內一次性填充絕緣材料，以在所述溝道孔內形成NAND串中芯柱的絕緣層”的過程中，采用原子層沉積的方式在所述溝道孔內形成所述絕緣層。

7.如權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述“在所述溝道孔內形成NAND串”包括：

采用原子層沉積的方式在所述溝道孔內一次性沉積絕緣材料，以在所述溝道孔內形成絕緣材料層；

蝕刻所述絕緣材料層，形成所述絕緣層和位于所述NAND串頂部的凹槽；

在所述凹槽內形成導電塞。

8.如權利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述“蝕刻所述絕緣材料層”的過程中，采用化學氣體蝕刻的方式蝕刻所述絕緣材料層。

9.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述“提供形成有堆疊結構的襯底”包括：

提供襯底，在所述襯底的表面依次形成堆棧層和掩膜層；

一次性形成貫穿所述堆棧層和所述掩膜層的所述溝道孔。

10.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述“提供形成有堆疊結構的襯底”包括：

提供襯底，在所述襯底的表面依次形成堆棧層和掩膜層；

形成貫穿所述掩膜層和所述堆棧層的功能孔，所述功能孔包括至少穿過所述掩膜層的表層的過渡部分；

蝕刻所述過渡部分的孔壁以形成所述掩膜部分。

11.如權利要求1所述的三維存儲器件的制備方法，其特征在于，所述堆棧部分為截頂錐形或圓柱形。

12.如權利要求1所述三維存儲器件的制備方法，其特征在于，所述掩膜部分穿過整個所述掩膜層。

13.一種三維存儲器件，其特征在于，包括：

襯底；

位于所述襯底上的堆疊結構，所述堆疊結構包括堆棧層和位于所述堆棧層上的掩膜層；

以及穿過所述堆疊結構的NAND串，所述NAND串包括第一部分和第二部分，所述第一部分至少穿過所述掩膜層的表層，所述第二部分在縱向方向上位于所述第一部分靠近所述襯底的一側；

在自所述第一部分指向所述第二部分的縱向方向上，所述第一部分的直徑逐漸減小；

所述第一部分的直徑大于所述第二部分的直徑，且所述第一部分的斜度小于所述第二部分的斜度。

14.如權利要求13所述的三維存儲器件，其特征在于，所述第二部分為截頂錐形或圓柱形。

15.如權利要求13所述的三維存儲器件，其特征在于，所述第一部分的錐角大于10度。