[發(fā)明專利]一種烹飪機

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910251448.3
• 申請日: 2019-03-29
• 公開（公告）號: CN110051247A
• 公開（公告）日: 2019-07-26
• 發(fā)明（設計）人: 宮軍軍;張智集;王莉;王亞紅
• 申請（專利權）人: 宮軍軍
• 主分類號: A47J44/02
• 分類號: A47J44/02;A47J27/00;A47J43/046;A47J43/07;A47J43/08
• 代理公司: 北京天達知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 11386
• 代理人: 田英楠;武悅

本發(fā)明涉及一種烹飪機，屬于食物處理機技術領域，解決了現(xiàn)有烹飪機體積大、噪音大、磁阻電機低速抖動、高速范圍窄、電路板干擾大以及成本高的問題。該烹飪機包括攪拌鍋和主機基座，所述主機基座包括主驅(qū)動電機、外殼和驅(qū)動電路板，所述主驅(qū)動電機為扁平帶磁編碼器的直流無刷主驅(qū)動電機；所述主驅(qū)動電機設有電機轉(zhuǎn)速反饋系統(tǒng)，所述電機轉(zhuǎn)速反饋系統(tǒng)包括磁編碼芯片和用于磁編碼芯片磁場反饋的磁鐵；所述主機基座設置分體式散熱裝置。本發(fā)明的烹飪機具有體積小、低噪音、高速范圍寬、成本低的優(yōu)點。

技術領域

本發(fā)明涉及食物處理機技術領域，尤其涉及一種烹飪機。

背景技術

隨著人們生活水平的日益提高，市場上出現(xiàn)了許多不同類型的食物烹飪機或料理機，其中，具有慢攪拌加熱功能的食物烹飪機越來越受歡迎。

目前，慢加熱攪拌食物烹飪機由于電機的長徑比多在1.1-1.8之間，主流部分產(chǎn)品增加齒輪或者皮帶輪減速系統(tǒng)減速，并且需要在主機基座內(nèi)安裝常規(guī)軸流或者離心散熱裝置進行散熱，導致主機基座的外形整體高度高，體積大，無論在使用還是在存放時均占用較大空間，而且增加了包裝及運輸成本。盡管已有渦輪散熱技術應用到食物烹飪機領域，但此技術應用于食物烹飪機領域還不成熟，尚處于初級階段，散熱效果不理想，嚴重制約了渦輪散熱技術在食物烹飪機領域的應用。

全球市場上的慢加熱攪拌烹飪機分兩種：一種采用磁阻電機直驅(qū)慢加熱攪拌烹飪鍋，其特點磁阻電機成本高，低速扭力小抖動大，高速電機諧波電磁噪音大，攪拌工作轉(zhuǎn)速范圍窄：40-10700RPM，高速攪拌食物破壁效果差。另一種，采用常規(guī)串激電機加變速齒輪箱系統(tǒng)的雙離合慢加熱攪拌烹飪鍋，齒輪變速系統(tǒng)成本高，體積大，系統(tǒng)運行噪音大，雙離合系統(tǒng)轉(zhuǎn)速可調(diào)范圍也小：50-10500RPM，同時由于串激電機馬達碳刷摩擦，高速產(chǎn)生噪音，使得產(chǎn)品的整機噪音非常大，有效使用壽命短，用戶五感體驗差，一直被全球市場詬病。

綜上，應用于現(xiàn)有食物烹飪機的傳統(tǒng)感應電機加變頻器體積大成本高，串激電機加齒輪箱體積大噪音大，磁阻電機低速抖動，高速范圍窄，電路板干擾大以及成本高的問題急需解決。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于上述的分析，本發(fā)明旨在提供一種烹飪機，用以解決現(xiàn)有烹飪機體積大、噪音大、磁阻電機低速抖動、高速范圍窄、電路板干擾大以及成本高的問題。

本發(fā)明的目的主要是通過以下技術方案實現(xiàn)的：

一種烹飪機，包括攪拌鍋和主機基座，主機基座包括主驅(qū)動電機、外殼和驅(qū)動電路板，主驅(qū)動電機為扁平帶磁編碼器的直流無刷主驅(qū)動電機；主驅(qū)動電機設有電機轉(zhuǎn)速反饋系統(tǒng)，電機轉(zhuǎn)速反饋系統(tǒng)包括磁編碼芯片和用于磁編碼芯片磁場反饋的磁鐵；主機基座設置分體式散熱裝置。

進一步地，磁編碼芯片設于主驅(qū)動電機的支架上或者安裝于產(chǎn)品底座上，磁編碼芯片正對或者側(cè)對于主驅(qū)動電機輸出軸的尾端，磁鐵與磁編碼芯片端面之間的距離為0.05～6.0毫米。

進一步地，主驅(qū)動電機輸出軸的尾端設置沉槽，磁鐵設于沉槽內(nèi)；或者，主驅(qū)動電機輸出軸的端部設有固定座，磁鐵安裝在固定座內(nèi)。

進一步地，分體式散熱裝置為渦輪散熱風扇，渦輪散熱風扇設有冷卻電機和渦輪風葉，渦輪風葉采用漸開線式渦輪殼雙出風通道形式；渦輪風葉的外徑為葉片數(shù)量為3-15片，高度為2-15mm，出風口切線角為56°±15°，渦輪風葉與風罩之間的安裝間隙為0.3-2.0mm。

進一步地，驅(qū)動電路板為FOC正弦驅(qū)動IC管理分立式IGBT驅(qū)動電路板。

進一步地，IGBT的電流規(guī)格范圍20-60A，IGBT之間貼片距離D1為0.2-25毫米，IGBT漏極距離D2為16-45毫米之間，IGBT上、下橋引腳間距D3為10-40毫米，每個IGBT柵極的驅(qū)動電阻為0.1-180歐姆。