[發明專利]多通道相控陣系統通道間的參數校準方法

有效

• 申請號: 201910249712.X
• 申請日: 2019-03-29
• 公開（公告）號: CN109787693B
• 公開（公告）日: 2021-03-30
• 發明（設計）人: 章策珉
• 申請（專利權）人: 成都仕芯半導體有限公司
• 主分類號: H04B17/11
• 分類號: H04B17/11;H04B17/12;H04B17/21
• 代理公司: 成都行之專利代理事務所(普通合伙) 51220
• 代理人: 劉沙粒

1.多通道相控陣系統通道間的參數校準方法，包括基準通道校準步驟和待校準通道校準步驟，其中：

基準通道校準步驟：選擇任一路通道作為基準通道，對基準通道做全狀態校準并生成全狀態控制數據S(A)，存儲所述全狀態控制數據S(A)；

其特征在于，待校準通道校準步驟之前還設置有校準參數選擇步驟：所需校準的參數為相移量或者衰減量，選擇其中一種作為待校準參數，另一種作為恒定參數；

所述待校準通道校準步驟包括至少一個指定參數組下的校準，每個指定參數組下的校準包括以下步驟：

S01：選擇全狀態控制數據S(A)中任一狀態控制數據對應的指定參數組，確定指定參數組中各指定參數的取值，選擇該狀態控制數據對應的恒定參數的參數值作為恒定參數值；

S02：從基準通道以外的通道中選擇一路未經校準的通道作為待校準通道X，從S(A)中選擇n組狀態控制數據作為待校準通道X的狀態控制數據，其中n≥1，所述n組狀態控制數據對應的指定參數的取值與步驟S01中選擇的指定參數的取值相等，且所述n組狀態控制數據對應的恒定參數的取值與步驟S01中選擇的恒定參數值相等；

令待校準通道X工作時指定參數的取值等于步驟S01中確定的指定參數組中各指定參數的取值，且其恒定參數取值等于步驟S01選擇的恒定參數值；將選擇的n組狀態控制數據分別控制待校準通道X的參數值，分別讀取待校準通道X在n組狀態控制數據控制下的參數值P_X1,P_X2...P_Xn；

S03：讀取基準通道在指定參數的取值等于步驟S01中確定的指定參數組中各指定參數的取值，以及恒定參數取值等于選擇的恒定參數值的情況下，在n組狀態控制數據控制下的參數值P_A1,P_A2...P_An；步驟S02與S03順序不分先后；

S04：計算P_Aq和P_Xq的偏差量D_AqXq＝P_Xq-P_Aq，q＝1,2，...，n；得到n個偏差量D_A1X1、D_A2X2...D_AnXn；

S05：擬合基準點、D_A1X1、D_A2X2...D_AnXn值中的至少兩個值得到校準函數F(D)；

S06：計算待校準通道X的待校準參數全狀態控制數據S(X)：基準通道和待校準通道X的狀態控制數據存在關系S(X)＝S(A)+F，其中F為校準函數F(D)基于指定參數的取值和恒定參數值，針對待校準通道X生成的校準數據；

S07：多次重復步驟S02-S06，直到所有的通道都得到待校準參數的全狀態控制數據，結束校準。

2.根據權利要求1所述的多通道相控陣系統通道間的參數校準方法，其特征在于，所述步驟S04中，獲得D_A1X1、D_A2X2...D_AnXn后還包括存儲D_A1X1、D_A2X2...D_AnXn的步驟，所存儲的D_A1X1、D_A2X2...D_AnXn可直接用于S05中進行擬合以獲得擬合函數F(D)。

3.根據權利要求1所述的多通道相控陣系統通道間的參數校準方法，其特征在于，所述指定參數組內的指定參數包括溫度、頻率和輸入功率中的一種或多種。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的多通道相控陣系統通道間的參數校準方法，其特征在于，所述全狀態控制數據S(A)為通道內移相器的狀態控制數據和/或可調衰減器的狀態控制數據。

5.根據權利要求4所述的多通道相控陣系統通道間的參數校準方法，其特征在于，所述移相器為模擬移相器。

6.根據權利要求5所述的多通道相控陣系統通道間的參數校準方法，其特征在于，所述移相器的狀態控制數據用于控制數模轉換器，以生成模擬移相器的控制電壓。