[發明專利]一種平板式PECVD設備微波離子源工藝氣體噴氣裝置在審
| 申請號： | 201910249661.0 | 申請日： | 2019-03-29 |
| 公開（公告）號： | CN111748802A | 公開（公告）日： | 2020-10-09 |
| 發明（設計）人： | 陳國欽;張威;楊彬;唐電;吳易龍;李建志 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第四十八研究所 |
| 主分類號： | C23C16/513 | 分類號： | C23C16/513;C23C16/455 |
| 代理公司： | 湖南兆弘專利事務所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 周長清;徐好 |
| 地址： | 410111 湖南*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 平板 pecvd 設備 微波 離子源 工藝 氣體 噴氣 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種平板式PECVD設備微波離子源工藝氣體噴氣裝置，包括多個沿Y軸方向布置的離子源(3)，所述離子源(3)中包含多根送氣管(1)，所述送氣管(1)上沿X軸方向設有多個噴氣孔(2)，其特征在于：所有離子源(3)中輸送相同工藝氣體的噴氣孔(2)的X軸坐標各不相同且疊加后成等間距布置。
2.根據權利要求1所述的平板式PECVD設備微波離子源工藝氣體噴氣裝置，其特征在于：各所述噴氣孔(2)均為圓孔。
3.根據權利要求1或2所述的平板式PECVD設備微波離子源工藝氣體噴氣裝置，其特征在于：所述離子源(3)中包括一根第一送氣管(11)和兩根第二送氣管(12)，第一送氣管(11)和第二送氣管(12)輸送的工藝氣體不同，兩根第二送氣管(12)輸送的工藝氣體相同且分設于第一送氣管(11)的兩側。
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C23 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制
C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
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C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
