[發明專利]一種Micro LED陣列結構、顯示面板和顯示裝置有效
| 申請號: | 201910249107.2 | 申請日: | 2019-03-29 |
| 公開(公告)號: | CN109935600B | 公開(公告)日: | 2021-03-30 |
| 發明(設計)人: | 王晶;姜曉寧 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京正理專利代理有限公司 11257 | 代理人: | 付生輝 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 micro led 陣列 結構 顯示 面板 顯示裝置 | ||
本發明公開了一種Micro LED陣列結構、顯示面板和顯示裝置,所述陣列結構包括基板;設置在所述基板上的像素單元陣列,其中每個像素單元包括3個顯示子像素和1個待機子像素;控制電路,響應于第一指令控制所述顯示子像素發光,響應于第二指令控制所述待機子像素發光。本發明提供的實施例根據不同的指令控制像素單元中不同的子像素發光,從而實現節能目的,能夠提高Micro LED陣列結構的待機時間。同時通過在Micro LED陣列結構中加入感光元件根據環境亮度補償顯示亮度,有效提高使用者的用戶體驗。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,特別是涉及一種Micro LED陣列結構、顯示面板和顯示裝置。
背景技術
隨著移動、可穿戴設備的普及,提高設備續航能力和多功能化是亟待解決的兩大問題。Micro LED作為新一代顯示技術,比現有的OLED技術亮度更高、發光效率更好、但功耗更低,被逐漸應用于移動、可穿戴設備中。另外,在待機狀態時,往往要求移動、可穿戴設備顯示時間、日期、電量和通信狀態等信息,需要消耗大量電量,從而導致設備的待機時間較短。
發明內容
為了解決上述問題至少之一,本發明第一方面提供一種Micro LED陣列結構,包括
基板;
設置在所述基板上的像素單元陣列,其中每個像素單元包括3個顯示子像素和1個待機子像素;
控制電路,響應于第一指令控制所述顯示子像素發光,響應于第二指令控制所述待機子像素發光。
進一步的,還包括
形成在所述基板上的多列陰極結構和與所述陰極結構電絕緣的多行第一陽極結構和多行第二陽極結構;
所述4個子像素的陰極分別與對應的陰極結構電連接,所述顯示子像素的陽極與對應的第一陽極結構電連接,所述待機子像素的陽極與對應的第二陽極結構電連接。
進一步的,還包括
形成在所述基板上的多行陽極結構和與所述陽極結構電絕緣的多列第一陰極結構和多列第二陰極結構;
所述4個子像素的陽極分別與對應的陽極結構電連接,顯示子像素的陰極與對應的第一陰極結構電連接,待機子像素的陰極與對應的第二陰極結構電連接。
進一步的,所述控制電路包括:
啟動單元;
時序控制單元;以及
輸出單元,
其中
所述啟動單元響應于第一指令指示所述時序控制單元生成第一時序控制信號從而通過輸出單元向所述顯示子像素輸出所述第一時序控制信號;
所述啟動單元響應于第二指令指示所述時序控制單元生成第二時序控制信號從而通過輸出單元向所述待機子像素輸出所述第二時序控制信號。
進一步的,還包括
用于感測外部的光線強度的感光元件,所述控制電路將所感測的光線強度與預設光線強度閾值進行比對,若所述光線強度大于光線強度閾值則所述控制電路控制所述待機子像素發光。
進一步的,每個像素單元對應兩行第一陽極結構和一行第二陽極結構,其中兩行第一陽極結構相鄰。
進一步的,所述每個像素單元的4個子像素呈田字形排列;
所述待機子像素的陽極設置為相對于所述像素單元中心的第一遠端,與第二陽極結構投影位置對應;
與所述待機子像素同行的顯示子像素的陽極設置為相對于所述像素單元中心的近端,與和所述第二陽極結構相鄰的第一陽極結構投影位置對應;
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司,未經京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910249107.2/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:顯示面板、顯示裝置和顯示面板的制作方法
- 下一篇:一種顯示面板及其制備方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





