[發明專利]半導體芯片制造方法

有效

• 申請號: 201910248959.X
• 申請日: 2019-03-29
• 公開（公告）號: CN109979879B
• 公開（公告）日: 2022-02-25
• 發明（設計）人: 李涌偉;王先彬
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 高潔;張穎玲

本發明實施例公開了一種半導體芯片制造方法，所述制作方法包括：形成一個由至少兩個晶圓層層疊形成的晶圓組；在所述晶圓組的至少一個表面形成具有切割圖案的遮罩層；沿所述切割圖案，同步切割所述晶圓組中的至少兩個晶圓層。

技術領域

本發明實施例涉及集成電路領域，特別涉及一種半導體芯片制造方法。

背景技術

在集成電路產業中，通常需要將形成有電路元件結構的晶圓切割成單獨的芯片，然后將這些芯片做成功能不同的半導體封裝結構，其中，對晶圓的切割質量直接影響芯片的成品率?，F有切割技術的切割質量差，且容易造成芯片破損，降低芯片成品率。因此，需要提供一種能提高切割效率和芯片成品率的半導體芯片制造方法。

發明內容

有鑒于此，本發明實施例提供一種半導體芯片制造方法，包括：

形成一個由至少兩個晶圓層層疊形成的晶圓組；

在所述晶圓組的至少一個表面形成具有切割圖案的遮罩層；

沿所述切割圖案，同步切割所述晶圓組中的至少兩個晶圓層。

可選地，所述在所述晶圓組的至少一個表面形成具有切割圖案的遮罩層，包括以下至少之一：

在所述晶圓組的第一表面形成具有切割圖案的第一遮罩層；

在所述晶圓組的第二表面形成具有切割圖案的第二遮罩層，其中，所述第二表面為所述第一表面的相反面。

可選地，所述切割圖案包括：

用于同時切割至少兩個晶圓層的第一類切割通道；

用于單獨切割一個晶圓層的第二類切割通道。

可選地，所述沿所述切割圖案，同步切割所述晶圓組中的至少兩個晶圓層，包括：

沿所述切割圖案，利用等離子體刻蝕穿透晶圓組；

或，

沿所述切割圖案，利用等離子體刻蝕切割所述晶圓組的第一部分；在晶圓組的表面施加壓力使得所述晶圓組與所述第一部分對應的第二部分分離。

可選地，在所述利用等離子體刻蝕穿透晶圓組之后，

或，

在所述晶圓組與所述第一部分對應的第二部分分離之后，

分離不同所述晶圓層。

可選地，所述在所述晶圓組的至少一個表面形成具有切割圖案的遮罩層，包括：

在所述晶圓組的至少一個表面形成阻擋層；

在所述阻擋層的表面涂覆光刻膠；

在所述光刻膠上形成切割圖案。

可選地，所述方法還包括：

在所述沿所述切割圖案，同步切割所述晶圓組中的至少兩個晶圓層之后，去除晶圓組表面的遮罩層。

可選地，產生所述等離子體的氣體包括以下至少之一：氧氣、氮氣、氯基氣體、氟基氣體、惰性氣體。

可選地，所述阻擋層的材料包括以下至少之一：不定性碳、氮氧化硅、氮化硅。