[發(fā)明專(zhuān)利]微流體致動(dòng)器模塊

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910247879.2
• 申請(qǐng)日: 2019-03-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111750142B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-10-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 莫皓然;余榮侯;張正明;戴賢忠;廖文雄;黃啟峰;韓永隆;李偉銘
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 研能科技股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): F16K11/20
• 分類(lèi)號(hào): F16K11/20;F16K31/02;F15B13/02
• 代理公司: 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 聶慧荃;鄭特強(qiáng)

1.一種微流體致動(dòng)器模塊，其特征在于，包含：

一第一基板，具有一第一表面及一第二表面，通過(guò)蝕刻制程形成多個(gè)流體出口以及多個(gè)噴口，該多個(gè)流體出口分別與該多個(gè)噴口相連通；

一第一保護(hù)層，通過(guò)沉積制程形成于該第一基板的該第一表面上，且通過(guò)蝕刻制程形成多個(gè)出口開(kāi)口，該多個(gè)出口開(kāi)口分別通過(guò)該多個(gè)流體出口與該多個(gè)噴口相連通；

一第一光阻層，通過(guò)滾壓制程形成于該第一保護(hù)層上，且通過(guò)顯影制程形成一連通流道、多個(gè)入口流道、多個(gè)閥座以及多個(gè)腔體開(kāi)口；

一閥層，通過(guò)翻轉(zhuǎn)對(duì)位制程接合于該第一光阻層，并通過(guò)蝕刻制程形成多個(gè)出口閥、多個(gè)入口閥以及一第一流道開(kāi)口，該第一流道開(kāi)口與該第一光阻層的該連通流道相連通；

一第二基板，通過(guò)蝕刻制程形成多個(gè)振動(dòng)開(kāi)口，并定義多個(gè)振動(dòng)區(qū)，該多個(gè)振動(dòng)區(qū)分別與該多個(gè)振動(dòng)開(kāi)口的位置相對(duì)應(yīng)；

一第二光阻層，通過(guò)滾壓制程形成于該第二基板上，通過(guò)顯影制程形成多個(gè)腔體孔洞以及一第二流道開(kāi)口，并通過(guò)覆晶制程與該閥層熱壓接合，該多個(gè)腔體孔洞分別與該第二基板的該多個(gè)振動(dòng)開(kāi)口以及該第一光阻層的該多個(gè)腔體開(kāi)口相連通，借以形成多個(gè)振動(dòng)腔室，該第二流道開(kāi)口通過(guò)該閥層的該第一流道開(kāi)口與該第一光阻層的該連通流道相連通；

一導(dǎo)電膠層，通過(guò)網(wǎng)印制程形成于該第二基板上；

一壓電層，通過(guò)粘貼制程形成于該導(dǎo)電膠層上，并通過(guò)切割制程定義多個(gè)致動(dòng)區(qū)；以及

一電極層，通過(guò)焊接制程形成于該壓電層以及該第二基板上，并具有多個(gè)上電極區(qū)以及多個(gè)下電極區(qū)；

其中，提供具有不同相位電荷的驅(qū)動(dòng)電源至該多個(gè)上電極區(qū)以及該多個(gè)下電極區(qū)，借以驅(qū)動(dòng)并控制該第二基板的該多個(gè)振動(dòng)區(qū)產(chǎn)生往復(fù)式位移，使流體自該連通流道吸入，通過(guò)該多個(gè)入口流道后推開(kāi)該多個(gè)入口閥流至該多個(gè)振動(dòng)腔室，最后該振動(dòng)腔室受擠壓使流體推開(kāi)該多個(gè)出口閥后，通過(guò)該多個(gè)流體出口再自該多個(gè)噴口排出，以完成流體傳輸。

2.如權(quán)利要求1所述的微流體致動(dòng)器模塊，其特征在于，該第一基板包含一IC線路，設(shè)置于該第一基板上，并與該電極層電性連接。

3.如權(quán)利要求2所述的微流體致動(dòng)器模塊，其特征在于，還包含一邏輯產(chǎn)生器，電性連接該IC線路，用以控制該微流體致動(dòng)器模塊的動(dòng)作。

4.如權(quán)利要求1所述的微流體致動(dòng)器模塊，其特征在于，該多個(gè)入口流道內(nèi)設(shè)有多個(gè)柱狀結(jié)構(gòu)。

5.如權(quán)利要求1所述的微流體致動(dòng)器模塊，其特征在于，該多個(gè)噴口以干式蝕刻制程制出。

6.如權(quán)利要求1所述的微流體致動(dòng)器模塊，其特征在于，該多個(gè)流體出口以深蝕刻制程制出。

7.如權(quán)利要求1所述的微流體致動(dòng)器模塊，其特征在于，該多個(gè)出口閥、該多個(gè)入口閥以及該第一流道開(kāi)口以干式蝕刻或激光蝕刻制程制出。

8.如權(quán)利要求1所述的微流體致動(dòng)器模塊，其特征在于，每一該振動(dòng)開(kāi)口的開(kāi)口寬度大于該壓電層相對(duì)應(yīng)的該致動(dòng)區(qū)的寬度。

9.如權(quán)利要求1所述的微流體致動(dòng)器模塊，其特征在于，該第一基板為一硅基材。

10.如權(quán)利要求1所述的微流體致動(dòng)器模塊，其特征在于，該第一保護(hù)層為一氮化硅材料。

11.如權(quán)利要求1所述的微流體致動(dòng)器模塊，其特征在于，該第一光阻層以及該第二光阻層分別為一厚膜光阻。

12.如權(quán)利要求1所述的微流體致動(dòng)器模塊，其特征在于，該閥層為一聚酰亞胺材料，以及該電極層以一聚酰亞胺為基材。

13.如權(quán)利要求1所述的微流體致動(dòng)器模塊，其特征在于，該電極層為一軟性電路板。

14.如權(quán)利要求1所述的微流體致動(dòng)器模塊，其特征在于，該第二基板為一不銹鋼材料。