[發明專利]具有低原子量金屬電極的體聲波諧振器

有效

• 申請號: 201910247716.4
• 申請日: 2019-03-29
• 公開（公告）號: CN110391791B
• 公開（公告）日: 2022-05-17
• 發明（設計）人: 保羅·布拉德利;約翰·D·拉森三世
• 申請（專利權）人: 安華高科技股份有限公司
• 主分類號: H03H9/02
• 分類號: H03H9/02
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 林斯凱

1.一種體聲波BAW諧振器，其包括：

襯底，其包括聲反射器；

聲堆疊，其包括：

安置在所述襯底之上的第一壓電層；

第一電極，其安置在所述第一壓電層及所述聲反射器之上且包括第一層及第二層，所述第一層包括高聲阻抗材料，且所述第二層包括低聲阻抗材料；

第二壓電層，其安置在所述第二層之上；

第一屏障層，其安置于所述第二層與所述第二壓電層之間；

第二電極，其安置在所述第二壓電層之上且包括第三層及第四層，所述第三層包括所述低聲阻抗材料，且所述第四層包括所述高聲阻抗材料；及

第二屏障層，其安置于所述第二壓電層與所述第三層之間；

其中所述第二層和所述第三層中的每一個是厚度在3000埃至5000埃的范圍中的鈹層；

其中所述聲堆疊的總厚度是大約λ/2，其中λ是對應于所述BAW諧振器的厚度伸縮諧振頻率的波長；

其中所述第一屏障層由與所述第一層相同的材料組成，且所述第二屏障層由與所述第四層相同的材料組成。

2.根據權利要求1所述的BAW諧振器，其中所述高聲阻抗材料包括鎢或鉬中的一者。

3.根據權利要求1所述的BAW諧振器，其中所述第二壓電層直接安置在所述第二層上。

4.根據權利要求1所述的BAW諧振器，其中所述第二壓電層包括高度紋理化的氮化鋁AlN。

5.根據權利要求4所述的BAW諧振器，其中所述高度紋理化的氮化鋁AlN摻雜有鈧。

6.根據權利要求1所述的BAW諧振器，其中所述第二壓電層是摻雜鈧的氮化鋁，其具有在3原子百分比到40原子百分比的范圍內的摻雜濃度。

7.根據權利要求6所述的BAW諧振器，其中所述第二壓電層具有在到1.4μm的范圍內的厚度。

8.根據權利要求7所述的BAW諧振器，其中所述高聲阻抗材料是鎢W。

9.根據權利要求7所述的BAW諧振器，其中所述高聲阻抗材料具有在到的范圍內的厚度。

10.一種體聲波BAW諧振器，其包括：

聲堆疊，其包括：

襯底，其包括聲反射器；

第一鈹電極，其安置在所述聲反射器之上，所述第一鈹電極是厚度在3000埃至5000埃的范圍中；

壓電層，其安置在所述第一鈹電極之上；

第二鈹電極，其安置在所述壓電層之上，所述第二鈹電極是所述厚度在3000埃至5000埃的所述范圍中；

第一屏障層，其安置于所述第一鈹電極與所述壓電層之間；及

第二屏障層，其安置于所述壓電層與所述第二鈹電極之間；

其中所述第一屏障層由與所述第一鈹電極相同的材料組成，且所述第二屏障層由與所述第二鈹電極相同的材料組成。

11.根據權利要求10所述的BAW諧振器，其中所述壓電層直接安置在所述第一鈹電極上，且所述第二鈹電極直接安置在所述壓電層上。

12.根據權利要求10所述的BAW諧振器，其中所述壓電層是氮化鋁AlN。

13.根據權利要求10所述的BAW諧振器，其中所述第一鈹電極及所述第二鈹電極的厚度在0.1μm到2.0μm的范圍內。

14.根據權利要求10所述的BAW諧振器，其中所述壓電層是摻雜鈧的氮化鋁，其具有在3原子百分比到40原子百分比的范圍內的摻雜濃度。

15.根據權利要求10所述的BAW諧振器，其中所述壓電層具有在到1.4μm的范圍內的厚度。