[發明專利]一種高解調效率的像素結構有效
| 申請號： | 201910246974.0 | 申請日： | 2019-03-29 |
| 公開（公告）號： | CN109935606B | 公開（公告）日： | 2021-04-02 |
| 發明（設計）人： | 汪一飛 | 申請（專利權）人： | 汪一飛 |
| 主分類號： | H01L27/146 | 分類號： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 430070 湖北省*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 解調 效率 像素 結構 | ||
1.一種高解調效率的像素結構，其特征在于：包括P型襯底，P型襯底上表面中部沉積有N型光生電荷收集區，N型光生電荷收集區上沉積有P+鉗位層，所述P+鉗位層的上表面與P型襯底的上表面平齊，所述P+鉗位層上表面左右兩側對稱設有兩個側向電荷引導柵，所述P+鉗位層上表面前端對稱設有兩個電荷轉移柵，所述P型襯底上緊靠電荷轉移柵前端位置處沉積有光生電荷存儲區，所述N型光生電荷收集區的形狀為從前往后寬度和深度逐漸減小。
2.根據權利要求1所述的高解調效率的像素結構，其特征在于：所述側向電荷引導柵跨接在N型光生電荷收集區與P型襯底的交界處，側向電荷引導柵與N型光生電荷收集區、P型襯底之間設有二氧化硅層Ⅰ。
3.根據權利要求1所述的高解調效率的像素結構，其特征在于：所述電荷轉移柵跨接在N型光生電荷收集區與P型襯底的交界處，電荷轉移柵與N型光生電荷收集區、P型襯底之間設有二氧化硅層Ⅱ。
4.根據權利要求3所述的高解調效率的像素結構，其特征在于：所述二氧化硅層Ⅱ前部下方與P型襯底接觸處設有P型溝道Ⅰ，P型溝道Ⅰ為低摻雜的P區；所述二氧化硅層Ⅱ后部下方與N型光生電荷收集區、P型襯底接觸處設有P型溝道Ⅱ，P型溝道Ⅱ為高摻雜的P區。
5.根據權利要求1所述的高解調效率的像素結構，其特征在于：對稱的兩個電荷轉移柵中，其中一個電荷轉移柵施加有與主動光源相同相位的方波，另一側電荷轉移柵施加有與主動光源相反相位的方波，且兩個側向電荷引導柵分別施加有與其同側電荷轉移柵同頻、同相位、占空比小于主動光源的方波。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
