[發明專利]一種基于摩擦工藝的鈣鈦礦偏振發光二極管的制備方法

在審

• 申請號: 201910246314.2
• 申請日: 2019-03-29
• 公開（公告）號: CN109860440A
• 公開（公告）日: 2019-06-07
• 發明（設計）人: 朱俊;魏雅平;王健越;王茜;陸紅波
• 申請（專利權）人: 合肥工業大學
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56
• 代理公司: 安徽合肥華信知識產權代理有限公司 34112
• 代理人: 余成俊

1.一種基于摩擦工藝的鈣鈦礦偏振發光二極管的制備方法，其特征在于，具體步驟如下：制備襯底并在其上依次制備陽極層、空穴傳輸層、鈣鈦礦活性發光層、電子傳輸層、陰極修飾層以及陰極層，最后將得到的基片進行封裝，完成器件制備。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述襯底的具體制備步驟如下：

（1）將ITO玻璃作為基片的襯底，對其進行清洗和干燥處理；

（2）對步驟1制作的襯底進行臭氧處理。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述空穴傳輸層的具體制備步驟為：采用旋涂法在陽極層上旋涂具有空穴傳輸特性材料的溶液，制備空穴傳輸層。

4.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述旋涂時間為40-90s，旋涂的轉速為1000-4000rpm，后將基片在120-150℃溫度下加熱10-15min。

5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述鈣鈦礦活性發光層的具體制備步驟為：先合成出鈣鈦礦納米線并分散在溶劑中，用滴涂法在空穴傳輸層上滴涂鈣鈦礦納米線溶液并用毛刷進行摩擦取向；

所述鈣鈦礦納米線選自CsPbCl_xBr_3-x和CsPbBr_xI_3-x中的一種或幾種，其中x為0-3。

6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述鈣鈦礦納米線寬度尺寸為5-50nm，長度尺寸為200nm-100μm，用硫氰酸銨或四氟硼酸銨表面處理后，分散在無水甲苯或無水正己烷中。

7.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述電子傳輸層的具體制備步驟為：通過真空熱蒸發或旋涂具有電子傳輸特性材料，制備電子傳輸層。

8.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述陰極修飾層以及陰極層的具體制備步驟為：在電子傳輸層上通過真空熱蒸發LiF、Al材料制備陰極修飾層及陰極層。

9.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述空穴傳輸層旋涂厚度為30-60nm；鈣鈦礦活性發光層的沉積厚度為30-80nm；電子傳輸層的沉積厚度為30-40nm；陰極修飾層LiF和陰極層Al的沉積厚度分別為1nm和100nm。

10.根據權利要求1至9任一項所述的基于摩擦工藝的鈣鈦礦偏振發光二極管的制備方法，可應用于制備偏振發光二極管。