[發(fā)明專利]一種利用二氧化鉿鈍化增強(qiáng)型低維納米探測器及制備方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201910246130.6
• 申請日: 2019-03-29
• 公開（公告）號: CN109950359A
• 公開（公告）日: 2019-06-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王鵬;彭孟;胡偉達(dá);吳峰;張莉麗;陳效雙;陸衛(wèi)
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所
• 主分類號: H01L31/112
• 分類號: H01L31/112;H01L31/0216;H01L31/18
• 代理公司: 上海滬慧律師事務(wù)所 31311
• 代理人: 郭英

1.一種利用二氧化鉿鈍化增強(qiáng)型低維納米探測器，包括P型Si襯底(1)、SiO₂氧化層(2)、源極(4)和漏極(5)，其特征在于：

所述的探測器的結(jié)構(gòu)為：在P型Si襯底(1)上有SiO₂氧化層(2)，在SiO₂氧化層上有CdS納米帶(3)，在CdS納米帶上左右兩端制作源極(4)和漏極(5)，在源極和漏極中間CdS納米帶上沉積鈍化介質(zhì)層(6)；

所述的P型Si襯底(1)是硼重?fù)诫s，電阻率小于0.05Ω·cm；

所述的SiO₂氧化層(2)的厚度是280納米；

所述的CdS納米帶(3)的厚度是50～80納米,長寬分別是10～20微米、2微米；

所述的金屬源極(4)和金屬漏極(5)為Cr和Au電極，下層Cr厚度為15納米，上層Au厚度為45納米；

所述的鈍化介質(zhì)層(6)是HfO₂，厚度是20納米。

2.一種制備如權(quán)利要求1所述的利用二氧化鉿鈍化增強(qiáng)型的低維納米探測器的方法，其特征在于方法步驟如下：

1).采用化學(xué)氣相沉積CVD方法在純Si片上利用Au顆粒催化生長CdS納米帶，通過物理轉(zhuǎn)移的方法將CdS納米帶轉(zhuǎn)移到SiO₂/Si襯底上；

2).利用電子束曝光EBL技術(shù)，熱蒸發(fā)和剝離等技術(shù)在預(yù)先轉(zhuǎn)移的CdS納米帶的上方準(zhǔn)確定位沉積鉻和金電極；

3).利用電子束曝光EBL技術(shù)，原子層沉積和剝離等技術(shù)在預(yù)先轉(zhuǎn)移的CdS納米帶的正上方溝道全部沉積氧化鉿介質(zhì)層，從而對CdS納米帶表面進(jìn)行鈍化，制備成增強(qiáng)型單根納米帶低維納米光電探測器。