[發明專利]一種利用二氧化鉿鈍化增強型低維納米探測器及制備方法在審
| 申請號： | 201910246130.6 | 申請日： | 2019-03-29 |
| 公開（公告）號： | CN109950359A | 公開（公告）日： | 2019-06-28 |
| 發明（設計）人： | 王鵬;彭孟;胡偉達;吳峰;張莉麗;陳效雙;陸衛 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海技術物理研究所 |
| 主分類號： | H01L31/112 | 分類號： | H01L31/112;H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海滬慧律師事務所 31311 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 納米半導體層 二氧化鉿 探測器 低維 制備 電子束曝光 鈍化介質層 工藝制作 氧化物層 漏電極 增強型 鈍化 納米光電探測器 硫化鎘納米 原子層沉積 器件結構 器件制備 暗電流 低功耗 硅襯底 寬光譜 熱蒸發 源電極 再利用 襯底 靈敏 探測 生長 覆蓋 | ||
1.一種利用二氧化鉿鈍化增強型低維納米探測器，包括P型Si襯底(1)、SiO2氧化層(2)、源極(4)和漏極(5)，其特征在于：
所述的探測器的結構為：在P型Si襯底(1)上有SiO2氧化層(2)，在SiO2氧化層上有CdS納米帶(3)，在CdS納米帶上左右兩端制作源極(4)和漏極(5)，在源極和漏極中間CdS納米帶上沉積鈍化介質層(6)；
所述的P型Si襯底(1)是硼重摻雜，電阻率小于0.05Ω·cm；
所述的SiO2氧化層(2)的厚度是280納米；
所述的CdS納米帶(3)的厚度是50～80納米,長寬分別是10～20微米、2微米；
所述的金屬源極(4)和金屬漏極(5)為Cr和Au電極，下層Cr厚度為15納米，上層Au厚度為45納米；
所述的鈍化介質層(6)是HfO2，厚度是20納米。
2.一種制備如權利要求1所述的利用二氧化鉿鈍化增強型的低維納米探測器的方法，其特征在于方法步驟如下：
1).采用化學氣相沉積CVD方法在純Si片上利用Au顆粒催化生長CdS納米帶，通過物理轉移的方法將CdS納米帶轉移到SiO2/Si襯底上；
2).利用電子束曝光EBL技術，熱蒸發和剝離等技術在預先轉移的CdS納米帶的上方準確定位沉積鉻和金電極；
3).利用電子束曝光EBL技術，原子層沉積和剝離等技術在預先轉移的CdS納米帶的正上方溝道全部沉積氧化鉿介質層，從而對CdS納米帶表面進行鈍化，制備成增強型單根納米帶低維納米光電探測器。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
