[發明專利]一種焦平面探測器兩步倒焊工藝方法有效
| 申請號： | 201910246112.8 | 申請日： | 2019-03-29 |
| 公開（公告）號： | CN109877479B | 公開（公告）日： | 2021-01-01 |
| 發明（設計）人： | 朱憲亮;李雪;黃松壘;李淘;邵秀梅;張永剛;龔海梅 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海技術物理研究所 |
| 主分類號： | B23K28/02 | 分類號： | B23K28/02 |
| 代理公司： | 上海滬慧律師事務所 31311 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 平面 探測器 兩步倒 焊工 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種焦平面探測器兩步倒焊工藝方法，其步驟為:1)樣品裝載，2)第一步回熔焊，3)倒焊過渡結構裝載，4)第二步冷壓焊，5)取樣；其特征在于：具體操作步驟如下：
1)樣品裝載：將準備好的光敏芯片(3)和讀出電路(1)樣品放置在對應托盤中，操作倒焊機分別將光敏芯片(3)和讀出電路(1)真空吸附在對應的倒焊夾具上；
2)第一步回熔焊：采用回熔焊工藝將光敏芯片(3)與讀出電路(1)初步互連，回熔焊結束后，焦平面模塊吸附在基座的讀出電路用倒焊夾具(5)上保持不動；
3)倒焊過渡結構裝載：將準備好的倒焊過渡結構(4)放置在光敏芯片的托盤中，操作倒焊機將倒焊過渡結構(4)真空吸附在光敏芯片用倒焊夾具(6)上；
4)第二步冷壓焊：采用冷壓焊工藝將倒焊過渡結構(4)與初步互連的焦平面模塊再次冷壓，使光敏芯片(3)和讀出電路(1)實現完全互連；
5)取樣：從倒焊機上取下帶有倒焊過渡結構(4)的焦平面模塊，靜置一段時間，取下倒焊過渡結構(4)。
2.根據權利要求1所述的一種焦平面探測器兩步倒焊工藝方法，其特征在于：步驟3)中所述的倒焊過渡結構(4)使用的高平整度材料為雙拋藍寶石片、硅片或其他高平整度材料，其平整度≤2μm，尺寸介于光敏芯片(3)和讀出電路(1)之間，厚度與光敏芯片(3)相同，偏差±0.1mm。
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