[發明專利]一種LD-TO器件老化系統

有效

• 申請號: 201910245566.3
• 申請日: 2019-03-28
• 公開（公告）號: CN110045259B
• 公開（公告）日: 2021-01-05
• 發明（設計）人: 鐘子冉;呂維剛;徐凱
• 申請（專利權）人: 武漢市毅聯升科技有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26
• 代理公司: 武漢藍寶石專利代理事務所(特殊普通合伙) 42242
• 代理人: 廉海濤

1.一種LD-TO器件老化系統，其特征在于，包括：老化插座、上位機、第一電控開關、第二電控開關、第三電控開關、第四電控開關、第五電控開關、第六電控開關、恒流比較器及第一采樣電阻；

所述老化插座設置有四個插孔，順時針方向依次為第一插孔、第二插孔、第三插孔及第四插孔；所述第二插孔用于與所述LD-TO器件的LD-引腳連接；

電源VCC通過所述第一電控開關與所述第一插孔連接，所述第一插孔依次通過所述第四電控開關及所述第一采樣電阻接地；

電源VCC通過所述第二電控開關與所述第四插孔連接，所述第四插孔依次通過所述第五電控開關及所述第一采樣電阻接地；

電源VCC通過所述第三電控開關與所述第三插孔連接，所述第三插孔依次通過所述第六電控開關及所述第一采樣電阻接地；

所述第二插孔與所述恒流比較器連接；

所述第一電控開關、第二電控開關、第三電控開關、第四電控開關、第五電控開關、第六電控開關及所述恒流比較器與所述上位機連接；所述上位機獲取所述LD-TO器件的型號后，根據所述LD-TO器件的型號控制所述第一電控開關、第二電控開關、第三電控開關、第四電控開關、第五電控開關及所述第六電控開關的通斷進行老化；

其中，所述上位機包括：

獲取單元，判斷能否直接獲取所述LD-TO器件的型號信息；若能，則直接獲取所述LD-TO器件的型號信息；

判斷單元，與所述獲取單元進行通信，當所述獲取單元不能直接獲取所述LD-TO器件的型號信息時，自動判斷所述LD-TO器件的型號信息；當所述獲取單元能直接獲取所述LD-TO器件的型號信息時，則所述判斷單元停止工作；

處理單元，從所述獲取單元及所述判斷單元獲取所述LD-TO器件的型號信息；若為A型產品，則控制第一電控開關導通、第二電控開關截止、第三電控開關導通、第四電控開關截止、第五電控開關導通、第六電控開關截止；若為B型產品，則控制第一電控開關截止、第二電控開關導通、第三電控開關截止、第四電控開關截止、第五電控開關截止、第六電控開關導通；若為G型產品，則控制第一電控開關截止、第二電控開關導通、第三電控開關導通、第四電控開關導通、第五電控開關截止、第六電控開關截止；并根據所述LD-TO器件的類型施加電壓及電流進行老化。

2.根據權利要求1所述的LD-TO器件老化系統，其特征在于，所述恒流比較器包括：NPN型三極管、第一運算放大器及第二采樣電阻；

所述NPN型三極管的集電極與所述第二插孔連接，所述NPN型三極管的發射極通過所述第二采樣電阻接地；所述NPN型三極管的基極與所述第一運算放大器的輸出端連接；

所述第一運算放大器的正相輸入端與所述上位機連接；所述第一運算放大器的反相輸入端通過所述第二采樣電阻接地；所述第一運算放大器的反相輸入端與所述上位機連接。

3.根據權利要求2所述的LD-TO器件老化系統，其特征在于，所述第一電控開關、第二電控開關及所述第三電控開關為P溝道MOSFET管；

所述第四電控開關、第五電控開關及所述第六電控開關為N溝道MOSFET管。

4.根據權利要求1所述的LD-TO器件老化系統，其特征在于，還包括：第二運算放大器；

所述第二運算放大器的正相輸入端通過所述第一采樣電阻接地，所述第二運算放大器的反相輸入端接地；

所述第二運算放大器的輸出端與所述上位機連接。

5.根據權利要求1所述的LD-TO器件老化系統，其特征在于，所述上位機為單片機。