[發明專利]薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板、顯示面板及裝置

有效

• 申請號: 201910244490.2
• 申請日: 2019-03-28
• 公開（公告）號: CN109841581B
• 公開（公告）日: 2020-11-24
• 發明（設計）人: 貴炳強;劉珂;高濤;黃鵬;李文強
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L23/367
• 分類號: H01L23/367;H01L29/786;H01L21/336
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 郭潤湘

本發明涉及顯示技術領域，公開一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板、顯示面板及裝置。其中，薄膜晶體管，包括基板、依次設置于所述基板上的絕緣層和有源層；所述薄膜晶體管還包括位于所述有源層與所述基板之間的導熱結構，所述導熱結構的導熱性能優于所述絕緣層。上述薄膜晶體管(TFT)中，在有源層與所述基板之間設置有導熱性能較優的導熱結構，可以使有源層自加熱產生的熱量被快傳地傳遞至基板進而導出，從而有效避免熱量積累，進而可以緩解自加熱效應對TFT電特性造成的影響，改善TFT電特性，提高TFT的穩定性和良率。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，特別涉及一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板、顯示面板及裝置。

背景技術

隨著顯示器件朝高分辨率及柔性特性的演進，低溫多晶硅(LTPS)憑借其高載流子遷移率成為了不可或缺的薄膜晶體管(TFT)有源層材料，在LCD和AMOLED制造中被廣泛運用。

LTPS的結構來源于金屬-氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)的SOI(Silicon-On-Insulator)技術，采用頂柵結構方式。有研究表明，隨著漏極電壓(Vd)增大及負載時間變長，有源層的自加熱效應(self-heating effect)會導致TFT的閾值電壓(Vth)發生漂移，且TFT溝道區面積越大，該效應影響越顯著。以AMOLED常用的PMOS型LTPS TFT為例，自加熱效應會使得Vth發生負偏，漏電流增大，且對于溝道面積較大的DTFT(Drive TFT)來說影響更加顯著，而這對于正常顯示來說顯然是不希望發生的，有必要針對該問題提出解決方法。

發明內容

本發明公開了一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板、顯示面板及裝置，目的是減小TFT自加熱效應的影響，改善TFT的電性能和穩定性。

為達到上述目的，本發明提供以下技術方案：

一種薄膜晶體管，包括基板、依次設置于所述基板上的絕緣層和有源層；所述薄膜晶體管還包括位于所述有源層與所述基板之間的導熱結構，所述導熱結構的導熱性能優于所述絕緣層。

上述薄膜晶體管(TFT)中，在有源層與所述基板之間設置有導熱性能較優的導熱結構，可以使有源層自加熱產生的熱量被快傳地傳遞至基板進而導出，從而有效避免熱量積累，進而可以緩解自加熱效應對TFT電特性造成的影響，改善TFT電特性，提高TFT的穩定性和良率。

可選的，所述導熱結構為金屬材料。

可選的，所述導熱結構包括至少一個從所述基板至所述有源層方向延伸的導熱柱。

可選的，所述導熱柱的兩端分別與所述基板和所述有源層相接觸；或者，所述導熱柱朝向所述有源層的一端不與所述有源層相接觸。

可選的，所述導熱結構位于所述有源層的溝道區域與所述基板之間。

可選的，所述導熱結構包括多個所述導熱柱，其中，所述有源層的溝道區域與所述基板之間的導熱柱的密度大于所述有源層的其它區域與所述基板之間的導熱柱的密度。

可選的，所述導熱結構還包括位于所述絕緣層和所述基板之間的導熱層。

可選的，所述薄膜晶體管為低溫多晶硅薄膜晶體管。

可選的，所述基板為不銹鋼材料。

一種陣列基板，包括上述任一技術方案中所述的薄膜晶體管。

一種顯示面板，包括上述技術方案中所述的陣列基板。

一種顯示裝置，包括上述技術方案中所述的顯示面板。

一種如上述任一技術方案中所述的薄膜晶體管的制備方法，包括以下步驟：

在基板上形成絕緣層和導熱結構；