[發明專利]光罩及使用其的光微影方法有效
| 申請號: | 201910244279.0 | 申請日: | 2019-03-28 |
| 公開(公告)號: | CN110955111B | 公開(公告)日: | 2023-08-22 |
| 發明(設計)人: | 廖啟宏;楊岳霖 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/76 | 分類號: | G03F1/76;G03F1/52 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國 |
| 地址: | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 使用 光微影 方法 | ||
1.一種光罩,其特征在于,包含:
一基板,具有一第一表面及一第二表面;
一光反射結構,位于該基板的該第一表面上;
一圖案化層,位于該光反射結構上;
多個凸塊,位于該基板的該第二表面上,其中該基板及該多個凸塊是由低熱膨脹系數材料形成的一體式元件,其中多個空隙形成于該多個凸塊之間且該多個凸塊沿遠離該基板的該第二表面的一方向突出,該多個凸塊由該多個空隙中的該基板的該第二表面的多個平坦區域相互連結,該多個凸塊呈同心圈分布,并且該多個凸塊中的各凸塊之間的一寬度介于1毫米與3毫米之間;以及
一保護層,覆蓋于該多個凸塊并暴露該基板的該第二表面的該多個平坦區域。
2.根據權利要求1所述的光罩,其特征在于,其中該多個凸塊以一大致上相同的間距彼此分離。
3.根據權利要求1所述的光罩,其特征在于,其中該多個凸塊的一間距與該光罩的一厚度的一比值的范圍在1/10與3/5之間。
4.根據權利要求1所述的光罩,其特征在于,其中該多個凸塊具有大致上相同的高度。
5.根據權利要求1所述的光罩,其特征在于,其中該多個凸塊中的每一者的一高度與該光罩的一厚度的一比值的范圍在1/20與1/5之間。
6.根據權利要求1所述的光罩,其特征在于,其中該多個凸塊中的每一者是大致上相對于該基板的該第二表面的法線呈對稱。
7.根據權利要求1所述的光罩,其特征在于,其中該多個凸塊具有大致上相同的寬度。
8.根據權利要求1所述的光罩,其特征在于,其中該多個凸塊中的每一者的一高度與該多個凸塊中的每一者的一寬度的一比值的范圍在1與1/6之間。
9.根據權利要求1所述的光罩,其特征在于,其中該多個凸塊中的至少一者的橫截面為三角形。
10.根據權利要求1所述的光罩,其特征在于,其中該多個凸塊中的至少一者的橫截面為矩形。
11.根據權利要求1所述的光罩,其特征在于,其中該多個凸塊中的至少一者的橫截面為具有一個圓頭尖端的條帶。
12.根據權利要求1所述的光罩,其特征在于,其中該保護層的一厚度的范圍在5納米與35納米之間。
13.根據權利要求1所述的光罩,其特征在于,其中該保護層包含硼化鉭。
14.根據權利要求1所述的光罩,其特征在于,其中該多個凸塊中的每一者具有一下部部分,其連接至該多個凸塊中的另一者的該下部部分。
15.根據權利要求1所述的光罩,其特征在于,其中該多個凸塊中的各凸塊的該寬度大于各凸塊的一高度。
16.一種光罩,其特征在于,包含:
一基板,具有相對的一第一表面及一第二表面,以及位于該基板的該第二表面中的多個凹槽;
一光反射結構;
一第一凸塊和一第二凸塊,從該基板的該第二表面突出,其中該第一凸塊及該第二凸塊被該多個凹槽中的至少一凹槽中的該基板的該第二表面的一平坦區域所分隔,該第一凸塊及該第二凸塊呈同心圈分布,該第一凸塊與該第二凸塊的一間距介于1毫米與3毫米之間,該光罩的一厚度介于5毫米與10毫米之間,且該第一凸塊及該第二凸塊的該間距與該光罩的該厚度的一比值介于1/10與3/5之間;
一圖案化層,其中該基板及該圖案化層分別位于該光反射結構的兩個相對側邊上,且該基板的該第一表面面向該光反射結構;以及
一保護層,覆蓋該第一凸塊與該第二凸塊并暴露該基板的該第二表面的該平坦區域。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





