[發(fā)明專利]天線模組和電子設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910244229.2 | 申請日: | 2019-03-28 |
| 公開(公告)號: | CN111755805B | 公開(公告)日: | 2022-02-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 賈玉虎 | 申請(專利權(quán))人: | OPPO廣東移動通信有限公司 |
| 主分類號: | H01Q1/36 | 分類號: | H01Q1/36;H01Q1/38;H01Q1/50 |
| 代理公司: | 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224 | 代理人: | 熊文杰;方高明 |
| 地址: | 523860 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 天線 模組 電子設(shè)備 | ||
1.一種天線模組,其特征在于,包括:
第一介質(zhì)層;
接地層,位于所述第一介質(zhì)層上,且所述接地層開設(shè)至少一縫隙;
第二介質(zhì)層,位于所述接地層上,且所述第二介質(zhì)層開設(shè)有空氣腔,所述空氣腔與所述縫隙連通;所述空氣腔是基于低溫共燒陶瓷技術(shù)形成的;
疊層天線,包括與所述縫隙對應(yīng)設(shè)置的第一輻射貼片和第二輻射貼片,其中,所述第一輻射貼片貼合于所述第二介質(zhì)層背離所述接地層的一側(cè),所述第二輻射貼片合于所述第二介質(zhì)層開設(shè)所述空氣腔的一側(cè);
饋電單元,位于所述第一介質(zhì)層背離所述接地層的一側(cè);其中,所述饋電單元經(jīng)所述至少一縫隙對所述疊層天線進(jìn)行饋電,以使所述第一輻射貼片產(chǎn)生5G毫米波第一頻段的諧振及以使所述第二輻射貼片產(chǎn)生5G毫米波第二頻段的諧振;所述第一介質(zhì)層、接地層、第二介質(zhì)層、疊層天線和饋電單元采用所述低溫共燒陶瓷技術(shù)集成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的天線模組,其特征在于,通過調(diào)節(jié)所述縫隙的尺寸以使所述疊層天線產(chǎn)生第三頻段的諧振。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的天線模組,其特征在于,所述縫隙為矩形縫隙,所述饋電單元的走線方向與所述矩形縫隙的長度方向垂直設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的天線模組,其特征在于,所述縫隙包括第一部分以及分別與所述第一部分連通的第二部分和第三部分,所述第二部分和第三部分平行設(shè)置,且所述第一部分分別與所述第二部分和第三部分垂直設(shè)置;其中,所述第一部分、第二部分和第三部分均為直線型縫隙,且所述饋電單元的走線方向與所述縫隙的第一部分垂直設(shè)置。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的天線模組,其特征在于,所述縫隙包括第一縫隙和第二縫隙,且所述第一縫隙與所述第二縫隙正交設(shè)置,且所述第一輻射貼片與所述第二輻射貼片的幾何中心均位于垂直于所述第一介質(zhì)層的軸線上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的天線模組,其特征在于,所述饋電單元包括第一饋電走線和第二饋電走線,所述第一饋電走線經(jīng)所述第一縫隙對所述疊層天線進(jìn)行耦合饋電,所述第二饋電走線經(jīng)所述第二縫隙對所述疊層天線進(jìn)行耦合饋電。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的天線模組,其特征在于,至少部分所述縫隙正投影在所述第一輻射貼片和第二輻射貼片上的區(qū)域。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的天線模組,其特征在于,所述第一輻射貼片、第二輻射貼片、空氣腔的數(shù)量相等,其中,當(dāng)所述數(shù)量為多個(gè)時(shí),所述第一輻射貼片、第二輻射貼片一一對應(yīng)設(shè)置,且一個(gè)所述第二輻射貼片合于所述第二介質(zhì)層開設(shè)一個(gè)所述空氣腔的一側(cè)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的天線模組,其特征在于,所述空氣腔在垂直于所述疊層天線的方向上的深度范圍為0.2毫米~0.5毫米。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的天線模組,其特征在于,所述第一輻射貼片為環(huán)形貼片天線;所述第二輻射貼片為方形貼片、圓形貼片、環(huán)形貼片和十字型貼片中的一種。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的天線模組,其特征在于,所述第一輻射貼片的外環(huán)形狀與所述第二輻射貼片的形狀相同。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的天線模組,其特征在于,還包括射頻集成電路,所述射頻集成電路封裝在所述第一介質(zhì)層背離所述接地層的一側(cè),且所述射頻集成電路的饋電端口與所述饋電單元連接,以與所述疊層天線互聯(lián)。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的天線模組,其特征在于,所述第一頻段包括28GHz頻段,所述第二頻段包括39 G Hz頻段。
14.根據(jù)權(quán)利要求2所述的天線模組,其特征在于,所述第三頻段包括5 G毫米波25GHz頻段。
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