[發(fā)明專利]一種磷摻銻化銦薄膜、霍爾傳感器件及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910244225.4 | 申請(qǐng)日： | 2019-03-28 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN110010758A | 公開（公告）日： | 2019-07-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 黃靖云;尤健;冒偉偉;鄭律;門楠 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 浙江森尼克半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L43/06 | 分類號(hào)： | H01L43/06;H01L43/10 |
| 代理公司： | 杭州求是專利事務(wù)所有限公司 33200 | 代理人： | 萬(wàn)尾甜;韓介梅 |
| 地址： | 311200 浙江省杭州市蕭*** | 國(guó)省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 霍爾傳感器件 制備 半導(dǎo)體 砷化鎵 薄膜 合金薄膜 電子遷移率 化學(xué)計(jì)量比 砷化鎵器件 蒸發(fā)源材料 標(biāo)準(zhǔn)器件 高靈敏度 合適配比 霍爾器件 退火工藝 溫度系數(shù) 工作層 靈敏度 熱蒸發(fā) 銻化銦 銦薄膜 電極 摻銻 分裝 光刻 劃片 禁帶 優(yōu)化 響應(yīng) 調(diào)控 保證 | ||
1.一種磷摻雜銻化銦薄膜，其特征在于，該薄膜為InPxSb1-x薄膜，其中x(化學(xué)計(jì)量百分比)的取值范圍為0.05≤x≤0.35。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磷摻雜銻化銦薄膜，其特征在于，該薄膜采用如下方法制備：以InSb、InP作為兩個(gè)蒸發(fā)源，在基板上采用熱蒸發(fā)法制備，并經(jīng)退火處理獲得，所述的InSb、InP蒸發(fā)源純度均大于99.9995％，且InSb、InP蒸發(fā)源根據(jù)x的取值按化學(xué)計(jì)量配比，由于在蒸發(fā)過程中Sb容易揮發(fā)損失，所以按化學(xué)計(jì)量百分比加過量Sb源5％～15％以彌補(bǔ)Sb的損失。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磷摻雜銻化銦薄膜，其特征在于，所述的基板為陶瓷、云母、石英、硅或者藍(lán)寶石，基底尺寸為2～8英寸圓片。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磷摻雜銻化銦薄膜，其特征在于，所述的退火處理是指：在500～680℃溫度下進(jìn)行退火處理1～10小時(shí)，退火氣氛為氬氣。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磷摻雜銻化銦薄膜，其特征在于，所述的磷摻雜銻化銦薄膜的厚度為1-4μm。
6.一種霍爾傳感器件，其特征在于，采用如權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的磷摻雜銻化銦薄膜作為磁傳感部。
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