[發(fā)明專利]高頻電磁屏蔽效能測量系統(tǒng)、測量方法及裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910242921.1
• 申請日: 2019-03-28
• 公開（公告）號: CN109884406B
• 公開（公告）日: 2021-02-23
• 發(fā)明（設計）人: 王磊;方文嘯;邵偉恒;賀致遠;堯彬;恩云飛;黃云;王鐵羊;駱成陽;劉恒洲
• 申請（專利權）人: 中國電子產(chǎn)品可靠性與環(huán)境試驗研究所（（工業(yè)和信息化部電子第五研究所）（中國賽寶實驗室））
• 主分類號: G01R29/08
• 分類號: G01R29/08;G01R31/00
• 代理公司: 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 陳金普;曾旻輝

1.一種高頻電磁屏蔽效能測量系統(tǒng)，其特征在于，包括：電磁波分析設備、微帶線以及千兆赫茲橫電磁波小室；

所述千兆赫茲橫電磁波小室的輸入端連接所述電磁波分析設備的信號輸出端，用于根據(jù)所述信號輸出端的控制信號產(chǎn)生橫電磁波；

所述微帶線設置在所述千兆赫茲橫電磁波小室的輸出窗內(nèi)，用于接收所述橫電磁波；

所述電磁波分析設備的第一輸入端連接所述微帶線的第一端，所述電磁波分析設備的第二輸入端連接所述微帶線的第二端；所述電磁波分析設備，用于在設置待測屏蔽材料前，根據(jù)所述微帶線的第一端的輸出信號確定所述千兆赫茲橫電磁波小室與所述微帶線之間的第一耦合傳輸系數(shù)，并根據(jù)所述微帶線的第二端的輸出信號確定所述千兆赫茲橫電磁波小室與所述微帶線之間的第二耦合傳輸系數(shù)；以及在設置所述待測屏蔽材料后，根據(jù)所述微帶線的第一端的輸出信號確定所述千兆赫茲橫電磁波小室與所述微帶線之間的第三耦合傳輸系數(shù)，根據(jù)所述微帶線的第二端的輸出信號確定所述千兆赫茲橫電磁波小室與所述微帶線之間的第四耦合傳輸系數(shù)；

所述第一耦合傳輸系數(shù)和所述第二耦合傳輸系數(shù)用于確定在設置所述待測屏蔽材料前的電場強度信息和磁場強度信息；

所述第三耦合傳輸系數(shù)和所述第四耦合傳輸系數(shù)用于確定在設置所述待測屏蔽材料后的電場強度信息和磁場強度信息；

所述待測屏蔽材料的電磁屏蔽效能是通過對設置所述待測屏蔽材料前后的電場強度信息和磁場強度信息進行比較而獲得。

2.根據(jù)權利要求1所述的高頻電磁屏蔽效能測量系統(tǒng)，其特征在于，設置所述待測屏蔽材料時，所述屏蔽材料包覆所述微帶線的導體帶。

3.根據(jù)權利要求1所述的高頻電磁屏蔽效能測量系統(tǒng)，其特征在于，所述控制信號包括用于改變所述橫電磁波頻率以進行頻率掃描的頻率掃描信號。

4.根據(jù)權利要求1-3任一項所述的高頻電磁屏蔽效能測量系統(tǒng)，其特征在于，所述電磁波分析設備為矢量網(wǎng)絡分析儀或者頻譜分析儀。

5.一種高頻電磁屏蔽效能測量方法，應用于權利要求1-4任一項所述的高頻電磁屏蔽效能測量系統(tǒng)，其特征在于，包括以下步驟：

控制所述千兆赫茲橫電磁波小室向所述微帶線發(fā)送橫電磁波；

獲取所述電磁波分析設備測量的所述第一耦合傳輸系數(shù)、所述第二耦合傳輸系數(shù)、所述第三耦合傳輸系數(shù)以及所述第四耦合傳輸系數(shù)；

對所述第一耦合傳輸系數(shù)與所述第二耦合傳輸系數(shù)作和運算得到設置所述待測屏蔽材料前的第一電場信息，對所述第一耦合傳輸系數(shù)與所述第二耦合傳輸系數(shù)作差運算得到設置所述待測屏蔽材料前的第一磁場信息；

對所述第三耦合傳輸系數(shù)與所述第四耦合傳輸系數(shù)作和運算得到設置所述待測屏蔽材料后的第二電場信息，對所述第三耦合傳輸系數(shù)與所述第四耦合傳輸系數(shù)作差運算得到設置所述待測屏蔽材料前的第二磁場信息；

根據(jù)所述第一電場信息和所述第二電場信息得到電場屏蔽效能；

根據(jù)所述第一磁場信息和所述第二磁場信息得到磁場屏蔽效能。

6.根據(jù)權利要求5所述的電磁屏蔽效能測量方法，其特征在于，所述電磁波分析設備為矢量網(wǎng)絡分析儀，所述電場屏蔽效能通過以下表達式得到：

其中，SE_e為電場屏蔽效能，S_e1為所述第一電場信息，S_e2為所述第二電場信息。

7.根據(jù)權利要求5所述的電磁屏蔽效能測量方法，其特征在于，所述電磁波分析設備為矢量網(wǎng)絡分析儀，所述磁場屏蔽效能通過以下表達式得到：

其中，SE_m為磁場屏蔽效能，S_m1為所述第一磁場信息，S_m2為所述第二磁場信息。

8.根據(jù)權利要求5所述的電磁屏蔽效能測量方法，其特征在于，所述電磁波分析設備為頻譜分析儀，所述電場屏蔽效能通過以下表達式得到：

其中，其中，SE_e為電場屏蔽效能，S_e1為所述第一電場信息，S_e2為所述第二電場信息。